1：实验设计与方法选择：

本研究比较了室温下脉冲激光沉积（PLD）和物理气相沉积（PVD）制备的AZO薄膜。选择PLD因其高激光能量和无离子损伤特性，旨在提升薄膜质量。

2：样品选择与数据来源：

在玻璃衬底上沉积80纳米厚的AZO薄膜（Al2O3:ZnO重量比2:98）。

3：实验设备与材料清单：

设备包括射频磁控溅射系统（Kurt J. Lesker）、PLD系统（细节未完全说明，但使用波长248纳米的KrF激光器）、XRD（PANalytical）、AFM（布鲁克Multimode 8）、霍尔测量系统、紫外-可见分光光度计、XPS（赛默飞世尔科技）。材料包括玻璃衬底、AZO靶材、用于栅电极的ITO、用于栅绝缘层的SiO2、用于有源层的IGZO和Al2O3。

4：8）、霍尔测量系统、紫外-可见分光光度计、XPS（赛默飞世尔科技）。材料包括玻璃衬底、AZO靶材、用于栅电极的ITO、用于栅绝缘层的SiO用于有源层的IGZO和Al2O3。 实验流程与操作步骤：

4. 实验流程与操作步骤：AZO薄膜通过PVD（氩气环境，1毫托压力，80瓦功率）和PLD（氧流量0 sccm，脉冲能量400毫焦，重复频率5赫兹）沉积。TFT采用底栅结构制备：ITO栅电极和SiO2栅绝缘层通过PVD和PECVD沉积，IGZO（9.5纳米）和Al2O3（3.5纳米）有源层通过溅射沉积，AZO源/漏电极通过掩模光刻图案化。表征包括XRD、AFM、霍尔、紫外、XPS测量及TFT电学测试。

5：5纳米）和Al2O3（5纳米）有源层通过溅射沉积，AZO源/漏电极通过掩模光刻图案化。表征包括XRD、AFM、霍尔、紫外、XPS测量及TFT电学测试。 数据分析方法：

5. 数据分析方法：采用标准公式计算电阻率、霍尔迁移率、光学带隙（利用Tauc图）、接触电阻（利用传输长度法），并对薄膜与器件参数进行统计比较。