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硅单晶中钴杂质微夹杂物的形成

DOI：10.1134/S0020168518120178 期刊：Inorganic Materials 出版年份：2018 更新时间：2025-09-23 15:23:52
摘要： 通过电子探针微分析研究了硅中钴杂质微夹杂的结构和化学成分，所用n型和p型Si〈Co〉样品采用扩散掺杂法制备，并在扩散退火后以不同速率冷却。研究表明，扩散退火后的冷却速率对样品的结构参数及所形成杂质微夹杂的尺寸具有显著影响。杂质微夹杂的尺寸与形状决定了它们在样品本体中的分布情况。
作者： N. A. Turgunov
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究硅单晶中钴杂质微夹杂的结构和化学成分，特别是扩散退火后的冷却速率对其形成和性能的影响。

研究成果

扩散退火后的冷却速率显著影响硅中钴杂质微夹杂物的尺寸、形状和成分。较慢的冷却速率会产生更大、多层的微夹杂物，而较快的冷却速率则形成更小的微夹杂物。这些微夹杂物由硅化钴（如CoSi?、CoSi和Co?Si）组成，其成分随尺寸和冷却条件而变化。

研究不足

该研究仅限于硅中的钴杂质，可能不适用于其他杂质或材料。冷却速率和扩散条件具有特定性，变化可能会影响结果。微分析仪的分辨率可能限制对极小微夹杂物的检测。

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