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半导体(001)量子阱中偏振辐射吸收理论

DOI：10.1007/s11182-018-1421-7 期刊：Russian Physics Journal 出版年份：2018 更新时间：2025-09-23 15:23:52
摘要： 该论文研究了半导体尺寸量子化阱中与光跃迁相关的线偏振辐射吸收，这些跃迁既包括轻重空穴能带分支间的跃迁，也包括尺寸量子化子带间的跃迁。文中阐明了无限深对称阱中光吸收的主要特征，这些特征表现为带内光吸收，并与由尺寸量子化形成的半导体价带子带间空穴直接光学跃迁相关联。
作者： R. Ya. Rasulov，V. R. Rasulov，I. éshboltaev
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研究概述 实验方案

研究目的

考虑半导体尺寸量子化阱中线性偏振辐射的吸收，该吸收与轻空穴和重空穴能带分支之间以及尺寸量子化子带之间的光学跃迁相关，阐明无限深对称阱中光吸收的主要特征。

研究成果

该论文阐明了半导体量子阱中偏振光吸收的特性，重点分析了带内跃迁和尺寸量子化的作用。研究发现，在所考虑条件下，轻空穴对吸收的贡献约为重空穴的三倍，为未来实验和理论研究中的选择定则及吸收机制提供了见解。

研究不足

该研究仅限于无限深对称量子阱，未考虑势阱高度有限性、拉比效应或特定近似中的阻尼等效应。其假设低强度及特定偏振条件，可能无法推广至所有实际场景。

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