研究目的
研究双场板对AlGaN/GaN MOS-HEMTs电流崩塌效应的影响，并采用脉冲I-V技术评估其性能。
研究成果
双浮空栅结构有效抑制了AlGaN/GaN MOS-HEMT器件的电流崩塌效应，在施加高正栅压条件下可实现高达100V漏极电压的无电流崩塌工作，表明其在大功率高压开关应用中具有潜力。
研究不足
该研究可能受限于所使用的特定设备参数和材料；可进一步探索FP尺寸和材料的优化，以实现更广泛的应用。
1：实验设计与方法选择：
制备了具有不同场板参数（包括双场板（栅极场板和源极场板））的AlGaN/GaN MOS-HEMT器件，通过测试直流和脉冲I-V特性研究电流崩塌抑制效果。
2：样品选择与数据来源：
采用MOCVD技术在SiC衬底上生长的Al组分为20%的AlGaN/GaN异质结构；器件具体尺寸参数（如栅长3μm，栅宽100μm）。
3：实验设备与材料清单：
MOCVD用于外延生长，电子束蒸发制备欧姆接触（Ti/Al/Mo/Au），850°C快速热退火，原子层沉积制备Al2O3栅氧化层，溅射法制备SiN和SiO2钝化层，金属沉积形成电极。
4：实验流程与操作步骤：
器件制备包括欧姆接触形成、栅氧化层沉积、栅电极沉积、钝化层沉积及场板电极沉积；表征手段包含直流I-V和脉冲I-V测试。
5：数据分析方法：
通过分析归一化动态导通电阻（NDR）随VDS_off和VGS_on的变化关系评估电流崩塌行为。
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MOCVD
Used for growing AlGaN/GaN heterostructures on SiC substrates.
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Electron Beam Evaporation System
Used for depositing Ti/Al/Mo/Au metal stack for ohmic contacts.
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Rapid Thermal Annealing System
Used for annealing ohmic contacts at 850°C for 30 seconds.
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Atomic Layer Deposition System
Used for depositing Al2O3 gate oxide film at 250°C.
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Sputtering System
Used for depositing SiN and SiO2 passivation layers.
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