1：实验设计与方法选择：

本研究采用金属有机气相外延（MOVPE）技术在c面GaN衬底上生长InGaN层，通过改变生长温度、生长速率和微倾斜角来研究形貌变化。使用原子力显微镜（AFM）分析表面形貌，X射线衍射（XRD）测量厚度和InN摩尔分数，光致发光（PL）评估内量子效率（IQE）。

2：样品选择与数据来源：

在具有不同微倾斜角（0.24°、0.51°、0.97°）的GaN衬底及GaN/蓝宝石模板上生长了4–6 nm厚的InGaN层。根据生长温度、生长速率和微倾斜角的变化，样品分为三个系列，详见表1。

3：24°、51°、97°）的GaN衬底及GaN/蓝宝石模板上生长了4–6 nm厚的InGaN层。根据生长温度、生长速率和微倾斜角的变化，样品分为三个系列，详见表1。 实验设备与材料清单：

3. 实验设备与材料清单：使用水平MOVPE反应器，源材料包括三乙基镓（TEG）、三甲基铟（TMI）、氨气（NH3）和氮气。设备包括用于形貌分析的AFM、结构分析的XRD以及用于PL测量的He-Cd激光器。

4：实验步骤与操作流程：

在受控的温度、压力（500 hPa）和气体流量条件下生长InGaN层。AFM图像采用非接触式轻敲模式获取，进行XRD ω-2θ扫描，并在室温和77 K下测量PL以计算IQE。

5：数据分析方法：

将XRD数据与运动学衍射模拟对比，确定厚度和InN摩尔分数。分析AFM图像的台阶高度、岛尺寸和粗糙度。通过室温与77 K下的强度比值计算PL数据的IQE。