1：实验设计与方法选择：

采用全电子完全相对论自旋极化自洽能带计算的完全势线性缀加平面波（FP-LAPW）方法，基于相对论自旋密度泛函理论。使用改进的Becke-Johnson势（TB-mBJ）加上局域库仑U（mBJ+U）来提高带隙计算精度。

2：样本选择与数据来源：

研究聚焦于具有NaCl型晶体结构的磁性半导体——铕硫属化合物EuS、EuSe和EuTe。

3：实验设备与材料清单：

采用计算方法；未提及实体设备。

4：实验步骤与操作流程：

计算参数设置为：Eu的赝势球半径为2.8原子单位，S/Se/Te为2.3原子单位；EuX的U=8.506 eV、J=1.109 eV；采用14×14×14的Monkhorst-Pack k点网格。

5：8原子单位，S/Se/Te为3原子单位；EuX的U=506 eV、J=109 eV；采用14×14×14的Monkhorst-Pack k点网格。 数据分析方法：

5. 数据分析方法：计算能带结构与能隙，并通过与实验值及其他LSDA+U理论结果对比进行验证。