1：实验设计与方法选择：

研究采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）在硅衬底上制备GaN模板，通过改变GaN间隔层厚度再生长AlGaN/GaN结构，并利用紫外处理进行表面清洁。通过霍尔效应测量、C-V测量和二次离子质谱（SIMS）分析电学特性与杂质。采用选择性区域再生长工艺制备MOSFET器件并进行电学表征。

2：样品选择与数据来源：

在Si(111)衬底上制备含AlN和AlGaN缓冲层的GaN模板，包含非掺杂与碳掺杂GaN层。部分样品再生长前暴露于空气，部分样品进行紫外处理。

3：实验设备与材料清单：

MOCVD生长系统、霍尔效应测量装置、C-V测量设备、SIMS分析仪、紫外光源（氙准分子灯）、湿法化学处理溶液（盐酸、缓冲氢氟酸）、SiO2掩模材料、Ti/Al/Ni/Au欧姆接触金属、TiN栅极金属、原子层沉积工艺制备栅绝缘层、Keithley 4200直流电学测试仪。

4：实验流程与操作步骤：

制备GaN模板，控制表面空气暴露状态，按需进行紫外处理与湿法清洗，再生长含GaN间隔层的AlGaN/GaN结构，开展霍尔效应、C-V及SIMS分析，通过选择性区域再生长制备MOSFET器件，去除掩模后沉积栅绝缘层、形成电极并测量电学特性。

5：数据分析方法：

霍尔效应数据提供载流子浓度与迁移率，C-V测量获取载流子分布，SIMS给出杂质浓度，通过转移特性、导通电阻、击穿电压等电学参数评估器件性能。