研究目的
为研究电子激发对层状材料(特别是二硫化钼双层)中面外范德华键的影响,采用非绝热量子分子动力学模拟方法。
研究成果
研究表明,二硫化钼双层结构在电子激发下会出现强烈的非热平面外晶格参数快速收缩现象,这是由于电子密度重分布同时增强了层间吸引与排斥作用,而两者的不完全抵消导致了净吸引力。该特性在调控具有非共价相互作用材料性能方面具有潜在应用价值。
研究不足
模拟是在高电荷载流子密度(约10^21 cm^-3)的电子-空穴等离子体状态下进行的,该密度比激子态实验中的密度(10^18 cm^-3)高出三个数量级。这导致观测到的效应在幅度和时间尺度上与实验存在差异。用于范德华力的DFT-D方法对电子电荷密度重分布不敏感,可能无法捕捉所有效应。
1:实验设计与方法选择:
采用非绝热量子分子动力学(NAQMD)模拟光激发MoS2双层中的原子运动。绝热电子结构通过基于投影缀加波方法和广义梯度近似(GGA)的密度泛函理论(DFT)计算获得。范德华相互作用采用DFT-D近似估算。NAQMD基于含时密度泛函理论(TDDFT)和表面跳跃方法追踪具有电子激发和非绝热跃迁的原子轨迹。
2:样本选择与数据来源:
模拟晶胞包含2H结构MoS2双层(含72个Mo原子和144个S原子),尺寸为19.14×19.14×22.34 ?。系统建模温度为10 K。
3:14×14×34 ?。系统建模温度为10 K。
实验设备与材料清单:
3. 实验设备与材料清单:采用计算模拟;未使用物理设备。使用量子分子动力学(QMD)和NAQMD模拟的软件实现。
4:实验流程与操作步骤:
通过在t=0时刻修改Kohn-Sham能级占据数模拟电子激发,并采用TDDFT进行传播。使用表面跳跃方法处理非绝热电子动力学。监测不同激发电荷载流子密度下的层间距离随时间变化。同时进行绝热量子分子动力学(AMD)模拟作为对照。
5:数据分析方法:
将原子受力分解为吸引和排斥分量。采用Mulliken分析计算键重叠布居数(BOP)。通过平面平均电子电荷密度分析电荷重分布。
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