研究目的
分析采用氮化镓器件的高升压转换器中的共模噪声,通过等效建模识别噪声源,并实验验证开关频率、工作模式及电压转换时间对传导发射的影响。
研究成果
等效噪声模型有效识别了高升压转换器中的噪声源,表明中心绕组不会影响开关的电磁辐射。实验结果证实,噪声辐射随开关频率升高而增加,随工作模式变化,并受电压转换时间的影响。氮化镓器件虽支持高频运行,但会加剧电磁干扰问题。建议包括精心设计布局以减小寄生参数,并开展关于阻抗平衡和电压崩塌抑制的未来研究。
研究不足
本研究仅限于传导发射分析,未涉及辐射发射。原型机采用特定的氮化镓器件及参数,可能无法推广至其他元件或拓扑结构。布局中的寄生电容虽可最小化但无法完全消除,从而影响结果。未来工作需开展阻抗平衡研究,并对电压崩塌现象进行详细分析。
1:实验设计与方法选择:
本研究设计了一种基于氮化镓(GaN)的交错式高升压变换器耦合电感原型,用于分析传导电磁干扰(EMI)发射。通过建立等效噪声模型识别噪声源,并运用叠加原理进行分析。
2:样本选择与数据来源:
搭建实际原型(参数示例:输入电压20-50V直流,输出电压100V直流,开关频率100-500kHz),使用线路阻抗稳定网络(LISN)和频谱仪测量传导发射。
3:实验设备与材料清单:
设备包含双层印刷电路板、GaN场效应管(TPH3206)、铁氧体磁芯电感(PC40材质)、LISN(50Ω/50μH)、直流电源及频谱仪;材料包括构成变换器拓扑的电感、二极管、电容等元件。
4:6)、铁氧体磁芯电感(PC40材质)、LISN(50Ω/50μH)、直流电源及频谱仪;材料包括构成变换器拓扑的电感、二极管、电容等元件。
实验流程与操作规范:
4. 实验流程与操作规范:在不同开关频率(100kHz/300kHz/500kHz)、占空比(30%/50%/70%覆盖多种工作模式)及开通时间(11.2ns/14ns)条件下运行原型,记录0.15MHz至30MHz频段内的发射数据。
5:2ns/14ns)条件下运行原型,记录15MHz至30MHz频段内的发射数据。
数据分析方法:
5. 数据分析方法:通过频谱仪数据对比不同工况下的噪声水平,采用dBμV计量评估是否符合CISPR标准。
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