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[2018年IEEE第15届第四组光子学国际会议(GFP) - 坎昆(2018.8.29-2018.8.31)] 2018年IEEE第15届第四组光子学国际会议(GFP) - 关于将SOI光子学上实现的量子光学对源转移到电子晶圆上的研究

DOI:10.1109/GROUP4.2018.8478740 出版年份:2018 更新时间:2025-09-23 15:22:29
摘要: 基于绝缘体上硅技术实现了一种用于粗波分复用和密集波分复用发射的微环辅助光子对引擎。该光子芯片中光子对发射的符合计数显示出95%的可见度。在将器件晶圆级转移至1550纳米波段的BiCMOS电子晶圆后,仅观察到轻微的性能退化。
作者: Bernhard Schrenk,Fabian Laudenbach,Paul Müllner,Stefan Jessenig,Jochen Kraft,Moritz Eggeling,Daivid Fowler,Rainer Hainberger,Hannes Hübel
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在将硅光子(SOI)功能转移至电子BiCMOS晶圆前后,基于微环谐振腔中自发四波混频(SFWM)的1550纳米光子对源性能研究。

基于绝缘体上硅(SOI)技术并支持SFWM的纠缠光子对引擎展现出卓越性能,在粗波分复用(CWDM)和密集波分复用(DWDM)发射条件下可实现每秒40次符合计数及95%的可见度。通过三维集成技术转移至BiCMOS晶圆后,其性能表现相当,仅因耦合损耗出现轻微衰减,这证明了在同一芯片上协同集成量子光学与电子器件的可行性。未来工作可优化耦合效率,并探索门控单光子雪崩二极管(SPAD)配置以实现更高计数率。

该研究受限于转移至BiCMOS晶圆后光纤-波导耦合效率降低,导致符合计数率和可见度下降。采用外部泵浦及低效率(10%)的自由运行单光子雪崩二极管(SPAD)可能制约性能,且集成工艺可能引入未完全表征的损耗。

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