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P-1.3：氩等离子体处理对非晶氧化锌锡薄膜电导率调制的调控

DOI：10.1002/sdtp.12771 期刊：SID Symposium Digest of Technical Papers 出版年份：2018 更新时间：2025-09-23 15:22:29
摘要： 我们提出一种利用氩等离子体形成低电阻非晶氧化锌锡薄膜（a-ZTO）的方法。结果表明，氩等离子体处理能有效降低a-ZTO的电阻率。经过适当时间和适中功率氩等离子体处理的ZTO薄膜，其方阻低至2.3千欧/□。借助PECVD-SiOx覆盖层?；ぃ?30℃退火后，氩等离子体处理的ZTO方阻仅升高一个数量级。由此提出了一种制备低电阻a-ZTO薄膜的优化氩等离子体处理方案。
作者： Gang Wang，Baozhu Chang，Shenglei Wang，Shengdong Zhang
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究采用氩等离子体处理制备低电阻非晶氧化锌锡(a-ZTO)薄膜，优化处理参数，并探究SiOx覆盖层的热稳定性。

研究成果

氩等离子体处理能有效降低非晶氧化锌锡(a-ZTO)薄膜的电阻率，最佳工艺条件为100 W射频功率和60秒处理时间。等离子体增强化学气相沉积(PECVD)生长的二氧化硅(SiOx)覆盖层可提升热稳定性，使薄膜在230°C退火后电阻仅增加一个数量级。该方法具有成本效益且适用于薄膜晶体管(TFT)制备，但应避免高温退火工艺。

研究不足

未经钝化的氩等离子体处理薄膜热稳定性较差，在250°C以上退火时显著恶化。该方法可能不适用于高温工艺，针对不同膜厚或材料需进行优化。

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