研究目的
回顾由石墨烯和六方氮化硼组成的范德华异质结构的特性与进展，重点关注其制备方法、电子与光学性质以及它们所实现的新型物理现象。
研究成果
石墨烯-六方氮化硼异质结构能够实现低无序度的超高器件品质，展现出量子霍尔效应、奇异关联态以及通过莫尔超晶格调控的能带结构等本征物理现象。它们可通过旋转对齐和层间间距调节实现性能可控，在量子计算和光电子学领域具有应用前景。未来研究应探索更多范德华材料及其组合。
研究不足
本综述仅限于石墨烯与六方氮化硼（hBN）的异质结构，不包括其他范德华材料。挑战包括精确控制旋转取向与层间间距、hBN的本征缺陷以及多体相互作用的复杂性。未来工作可优化制备工艺以获得更高质量材料，并探索更多材料体系。
1：实验设计与方法选择：
本文综述了制备石墨烯-hBN异质结构的多种实验技术，包括使用聚合物印章的干法转移方法，以及扫描探针显微镜和输运测量等表征手段。采用紧束缚理论和狄拉克哈密顿量等理论模型来描述电子特性。
2：样本选择与数据来源：
样本包括在SiO2衬底上剥离的石墨烯和hBN薄片，通过光学方法识别。数据来源于论文中引用的先前实验研究。
3：实验设备与材料清单：
设备包括光学显微镜、聚丙烯碳酸酯（PPC）聚合物、聚二甲基硅氧烷（PDMS）弹性体印章、扫描隧道显微镜、透射电子显微镜、等离子体刻蚀机（如使用CHF3和O2）以及电学测量装置。材料包括石墨烯、hBN、石墨、SiO2晶圆。
4：实验步骤与操作流程：
剥离薄片，使用干法转移，显微镜下对齐，加热以增强粘附力，封装，并通过等离子体刻蚀塑形。制作电接触，使用霍尔效应测量和光谱学等技术对器件进行表征。
5：数据分析方法：
数据分析包括测量电阻、电导率、电容，并使用模型解释量子霍尔效应、能带结构和极化激元行为。隐含但未明确说明统计技术和软件工具。
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optical microscope
Used for identifying and aligning flakes during the transfer process.
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scanning tunneling microscope
Used for atomic-scale characterization of graphene devices, measuring charge inhomogeneity and surface roughness.
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transmission electron microscope
Used for high-resolution imaging of heterostructure interfaces to check for atomic sharpness and impurities.
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plasma etcher
Used for selective ion etching to shape heterostructures and expose edges for electrical contacts, typically using CHF3 and O2 plasma.
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polypropylene carbonate polymer
PPC
Used as part of the polymer stamp for dry transfer of flakes.
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polydimethylsiloxane elastomer stamp
PDMS
Used as a stamp for picking up and transferring flakes in the dry transfer process.
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