1：实验设计与方法选择：

本研究通过三聚氰胺热缩聚在不同温度（450、550、650°C）下合成g-C3N4材料，将其沉积于电化学还原的TiO2纳米线/纳米管阵列（rTWTA）/Ti基底上，并采用电化学测试评估其超级电容性能。

2：650°C）下合成g-C3N4材料，将其沉积于电化学还原的TiO2纳米线/纳米管阵列（rTWTA）/Ti基底上，并采用电化学测试评估其超级电容性能。 样本选择与数据来源：

2. 样本选择与数据来源：样本包括按所述方法制备的g-C3N4材料（CN(450)、CN(550)、CN(650)）和rTWTA/Ti电极，数据来源于表征技术和电化学测试。

3：0)、CN(550)、CN(650)）和rTWTA/Ti电极，数据来源于表征技术和电化学测试。 实验设备与材料清单：

3. 实验设备与材料清单：设备包含用于热缩聚的马弗炉、用于还原和测试的电化学池、场发射扫描电镜（TeScan-Mira III）、X射线衍射仪（Bruker D8 Advanced）、傅里叶变换红外光谱仪（Bruker VERTEX 70）、元素分析仪（Vario max, Elementar）及电化学工作站（SAMA 500, Ivium恒电位仪/恒电流仪）。材料包括三聚氰胺、钛板、乙二醇、NH4F、H2O、Na2SO4、异丙醇、Nafion溶液。

4：0）、元素分析仪（Vario max, Elementar）及电化学工作站（SAMA 500, Ivium恒电位仪/恒电流仪）。材料包括三聚氰胺、钛板、乙二醇、NH4F、H2O、Na2SO异丙醇、Nafion溶液。 实验步骤与操作流程：

4. 实验步骤与操作流程：包括通过阳极氧化和电化学还原制备rTWTA/Ti电极，加热指定温度的三聚氰胺合成g-C3N4，滴涂法制备g-C3N4/rTWTA/Ti电极，以及通过FESEM、XRD、FTIR、元素分析、循环伏安法（CV）、恒电流充放电（GCD）和电化学阻抗谱（EIS）进行表征。

5：数据分析方法：

比电容通过CV和GCD曲线采用标准公式计算；EIS数据通过等效电路拟合确定电阻和电容值。