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锰掺杂对Aurivillius相Bi5Ti3FeO15薄膜结构、电学与磁学性能及畴结构/翻转的组分依赖性

DOI:10.1016/j.ceramint.2019.01.183 期刊:Ceramics International 出版年份:2019 更新时间:2025-09-22 20:17:23
摘要: 通过化学溶液沉积法制备了锰掺杂Bi5Ti3FeO15(BTFO)薄膜。系统研究了0.05至0.4范围内不同锰掺杂浓度对薄膜结构、电学与磁学性能及畴结构/翻转行为的影响。锰掺杂可促进晶粒生长,提升铁电和介电性能,其中最佳掺杂量为0.25(剩余极化强度达17.2 μC/cm2,10 kHz下介电常数为371.2)。当锰掺杂量低于0.25时,BTFMO薄膜的介电常数与损耗角正切随频率变化规律与母体BTFO薄膜相似;继续增加掺杂量则出现明显频散现象。所有锰掺杂BTFO薄膜均呈现180°畴结构和局部铁电翻转,其中0.15掺杂量样品压电位移可达416 pm。此外,所有锰掺杂薄膜均表现出铁磁性,矫顽场对掺杂量呈现弱温度依赖性,而剩余磁化强度随掺杂量增加而提升。
作者: You Li,Mengyun Bian,Ningning Zhang,Wei Bai,Xiaodong Tang,Junhao Chu,Jing Yang,Yuanyuan Zhang
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研究概述 实验方案 设备清单

系统研究Mn掺杂浓度对Bi5Ti3FeO15薄膜结构、电学与磁学性能及畴结构/翻转行为的影响,并确定最佳Mn掺杂含量。

锰掺杂促进晶粒生长,在最佳含量为0.25时改善铁电和介电性能,并在Bi5Ti3FeO15薄膜中引入铁磁特性。畴结构保持180°且具有可观测的翻转行为,磁性能表现为剩余磁化强度增强而矫顽场弱温度依赖性。这为开发具有定制特性的多铁性器件奠定了基础。

该研究仅限于锰掺杂浓度最高达0.4;未探索更高浓度或其他掺杂剂。薄膜制备于特定衬底(Pt/Ti/SiO2/Si)上,这可能影响材料特性。磁学测量显示存在需扣除的衬底贡献,表明可能存在不准确性。优化基于特定性能(铁电性、介电性、磁性),可能未涵盖所有潜在应用。

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