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在KOH电解液中阳极形成纳米多孔磷化铟:温度与浓度的影响

DOI:10.1149/2.0131905jes 期刊:Journal of The Electrochemical Society 出版年份:2019 更新时间:2025-09-23 00:04:39
摘要: 对n型磷化铟(InP)电极进行了不同温度和氢氧化钾(KOH)浓度条件下的阳极氧化处理。扫描电子显微镜显示<111>A晶向的孔道呈定向生长,且随着温度升高孔径减小。这种变化可通过电化学反应速率与空穴扩散速率的相对关系解释,并验证了先前提出的三步机理模型。当温度升高时,表面凹坑的面密度和孔径均减小,导致通过凹坑的电流密度显著增大。这解释了多孔层厚度减小的现象:在蚀刻产物沉淀堵塞孔道前,凹坑维持质量传输所需速率的时间缩短。随着KOH浓度增加,孔径和层厚均在约9 mol·dm?3时降至最小值,随后再次增大??拙兜谋浠捎萌侥P徒馐停愫癖浠蚬橐蛴谥柿看湫в?。层孔隙率与孔径呈现相似变化趋势,进一步佐证了三步模型。当KOH浓度低于2 mol·dm?3时,观察到从多孔层形成向平面蚀刻的转变,该现象亦可由三步模型阐释。
作者: Nathan Quill,D. Noel Buckley,Colm O’Dwyer,Robert P. Lynch
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研究概述 实验方案 设备清单

研究温度和氢氧化钾浓度对阳极形成纳米多孔磷化铟(InP)的影响,并利用涉及空穴产生、扩散和电化学反应的三步模型解释所观察到的变化。

三步模型有效解释了孔隙形貌和层状特征随温度及氢氧化钾浓度变化的原因。较高温度与特定浓度会因反应动力学和质量传输的变化导致孔隙变窄、层状结构变薄。该模型同时阐释了低浓度条件下向平面刻蚀的转变过程,凸显其在描述磷化铟阳极孔形成机制方面的可靠性。

该研究仅限于KOH电解液中的n型磷化铟;结果可能不适用于其他半导体或电解液。电化学反应的详细化学机理尚未完全阐明。实验不确定性包括电极面积测量误差及基于扫描电子显微镜的尺寸测定误差。

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