研究目的
回顾基于超宽禁带Ga2O3半导体材料的功率场效应晶体管的进展，包括其物理特性、FET结构的最新发展以及功率电子应用的前景。
研究成果
氧化镓（Ga2O3）因其优异特性在高功率电子器件领域展现出巨大潜力，但要实现场效应晶体管（FET）应用的进一步发展，仍需解决p型掺杂和热管理等方面的挑战。
研究不足
该研究受限于氧化镓中有效的p型掺杂缺失、低热导率导致自加热效应，以及器件开发尚处早期阶段，这些因素制约了材料性能的充分发挥。
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基于超宽禁带Ga?O?半导体材料的功率场效应晶体管研究进展
DOI：10.1088/1674-4926/40/1/011802
期刊：Journal of Semiconductors
出版年份：2019
更新时间：2025-09-23 02:06:39
摘要：
作为一种极具潜力的超宽禁带半导体，氧化镓（Ga?O?）近年来受到越来越多的关注。其高理论击穿电场强度（8兆伏/厘米）、超宽禁带宽度（约4.8电子伏特）以及优异的巴利加优值（BFOM），使它成为下一代高功率电子器件（包括二极管和场效应晶体管FET）的潜在候选材料。本文介绍了Ga?O?单晶的基本物理特性，综述了基于Ga?O?的场效应晶体管的最新研究进展。此外，还总结并比较了各类FET结构，初步揭示了Ga?O?的潜力。最后，分析了基于Ga?O?的FET在功率电子应用中的前景。
作者：
Hang Dong，Huiwen Xue，Qiming He，Yuan Qin，Guangzhong Jian，Shibing Long，Ming Liu
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