1：实验设计与方法选择：

本研究采用远程等离子体增强原子层沉积（RPEALD）技术沉积Ga2O3薄膜，并通过原位NH3等离子体预处理改性衬底表面，旨在提升沉积速率并改善半导体应用的界面质量。

2：样品选择与数据来源：

衬底包括2英寸n-Si（100）晶圆和GaN外延晶圆（约1×约1 cm2）。样品经丙酮、异丙醇、去离子水及特定溶液（硅用HF、GaN用NH4OH）进行异位清洗以去除自然氧化层。

3：实验设备与材料清单：

设备包含RPEALD系统（PICOSUN R-200 Advanced）、椭偏仪（M2000DI，J.A. Woollam）、高分辨透射电镜（HR-TEM，Tecnai G2 F20 S-Twin，FEI）、原子力显微镜（AFM，Dimension ICON，Burker）、X射线光电子能谱（XPS，PHI 5000 Versa Probe II，ULVAC-PHI）和飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS，IONTOF）。材料包括三甲基镓（TMG，5N纯度）、超高纯氧（O2，6N）、氮气（N2，5N）、氨气（NH3）以及硅和GaN衬底。

4：实验流程与操作步骤：

衬底经清洗后置入RPEALD腔室。原位NH3等离子体预处理在室温下进行（射频功率2000 W，13秒NH3等离子体，6秒N2吹扫，10-70个循环）。随后进行Ga2O3沉积，循环步骤为TMG脉冲（0.1秒）、N2吹扫（6秒）、O2等离子体（13-20秒，射频功率2800 W）和N2吹扫（6秒），温度范围100至400°C。通过椭偏仪、AFM、XPS、TOF-SIMS和HR-TEM表征薄膜厚度、形貌及成分。

5：1秒）、N2吹扫（6秒）、O2等离子体（13-20秒，射频功率2800 W）和N2吹扫（6秒），温度范围100至400°C。通过椭偏仪、AFM、XPS、TOF-SIMS和HR-TEM表征薄膜厚度、形貌及成分。 数据分析方法：

5. 数据分析方法：数据分析包括使用CasaXPS软件拟合XPS光谱、通过椭偏仪和XPS角度分辨测量计算膜厚，以及采用SIMS进行深度剖析。虽未明确说明统计方法，但厚度估算使用了线性拟合。