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通过简易水热辅助插层法提高MXene二维片的产率

DOI:10.1021/acsami.8b22339 期刊:ACS Applied Materials & Interfaces 出版年份:2019 更新时间:2025-09-23 12:22:16
摘要: Ti3C2Tx(MXene)在不同应用中展现出优异性能。然而传统合成方法导致二维Ti3C2Tx产率不理想(低于20%),这源于相邻Ti3C2层间潜在的Ti-Ti键与残余Ti-Al键的强相互作用,阻碍了有效插层和剥离。本研究提出简便的水热辅助插层(HAI)策略,将二维片层产率提升至创纪录的74%。该HAI工艺能有效促进试剂扩散插层并推动后续剥离过程,同时采用抗氧化剂?;i3C2Tx在反应过程中免受氧化。由此可轻松合成大量Ti3C2Tx二维片层。得益于高导电性与丰富表面官能团的协同效应,这些二维片层在超级电容器中表现出优异应用前景,比电容高达482 F g-1。此外,Ti3C2Tx二维片层的超快载流子动力学结果表明其具有较长漂白弛豫时间,在光催化领域也极具应用潜力。本研究不仅为Ti3C2Tx二维片层的大规模生产铺平道路,还揭示了其电子与光学特性。
作者: Fei Han,Shaojuan Luo,Luoyuan Xie,Jiajie Zhu,Wei Wei,Xian Chen,Fuwei Liu,Wei Chen,Jinlai Zhao,Lei Dong,Kuai Yu,Xierong Zeng,Feng Rao,Lei Wang,Yang Huang
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研究概述 实验方案 设备清单

通过一种简便的水热辅助插层策略提高Ti3C2Tx二维片的产率,以解决传统合成方法中产率低的问题。

HAI策略通过水热条件下增强的扩散与插层作用,并辅以抗氧化?;ぃ行Э朔瞬慵淝肯嗷プ饔?,成功将Ti3C2Tx二维片层的产率提升至创纪录的74%。这些片层因具有较长的载流子弛豫时间,在超级电容器中展现出高电容特性,并具备优异的光催化潜力,为MXene材料的大规模生产提供了途径,同时也深化了对其性能的认知。

该抗氧化剂在极高温度(如180°C)下可能无法充分发挥效用,从而导致潜在氧化和产率降低。二维薄片的横向尺寸小于1微米,对于某些需要更大薄片的应用而言可能不足。这些薄片的导电性(405 S cm?1)低于部分先前报道的数据,可能是合成过程中引入缺陷所致。

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