研究目的
采用射频磁控溅射法制备并表征FeSex/Bi2Se3双层薄膜，研究不同Bi2Se3厚度对其结构、形貌及磁学性能的影响。
研究成果
成功生长出FeSex/Bi2Se3双层薄膜，其中Bi2Se3晶粒呈c轴取向，由于FeSe2的存在在低温下表现出弱铁磁性，且Bi2Se3厚度影响结构与磁性能，显示出拓扑绝缘体应用的潜力。
研究不足
该研究仅限于特定厚度和溅射条件；薄膜质量可能随参数变化，需进一步优化以提高结晶度和磁性能。
1：实验设计与方法选择：
采用射频磁控溅射技术在硅衬底上依次沉积Bi2Se3和Fe-Se层，随后在富硒环境中进行退火处理以提升薄膜质量。
2：样品选择与数据来源：
使用硅(100)衬底；通过控制溅射时间（35秒、125秒、185秒）调节Bi2Se3厚度（20纳米、60纳米、90纳米），Fe-Se层厚度固定为60纳米。
3：5秒、125秒、185秒）调节Bi2Se3厚度（20纳米、60纳米、90纳米），Fe-Se层厚度固定为60纳米。 实验设备与材料清单：
3. 实验设备与材料清单：射频磁控溅射系统、Bi2Se3合金靶材（99.999%纯度）、FeSe靶材（99.99%纯度）、硅衬底、高纯氩气、退火炉。
4：999%纯度）、FeSe靶材（99%纯度）、硅衬底、高纯氩气、退火炉。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：在300°C下沉积Bi2Se3，300°C退火2小时；在500°C下沉积Fe-Se 1小时，随后在富硒环境中500°C退火6小时。
5：数据分析方法：
XRD用于晶体结构分析，FESEM用于表面形貌观测，PPMS用于磁性能测量。
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X-ray diffractometer
X'Pert PANalytical
PANalytical
Investigate crystal structures of the thin films
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Field-emission scanning electron microscope
JSM-7800F
JEOL
Determine surface morphology of the films
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Physical property measurement system
PPMS
Quantum Design
Perform magnetic property measurements
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RF magnetron sputtering system
Deposit Bi2Se3 and Fe-Se thin films
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