1：实验设计与方法选择：

采用等离子体辅助分子束外延（PA-MBE）技术在多种衬底（包括AlN/Si(111)、SiN/Si(111)、SiO2/Si(100)和石墨烯/SiO2/Si(100)）上生长GaN纳米线。针对不同衬底优化生长温度与V/III比以获得相似形貌。通过低温（5-10K）稳态与瞬态光致发光（PL）测量分析光学特性。

2：1)、SiN/Si(111)、SiO2/Si(100)和石墨烯/SiO2/Si(100)）上生长GaN纳米线。针对不同衬底优化生长温度与V/III比以获得相似形貌。通过低温（5-10K）稳态与瞬态光致发光（PL）测量分析光学特性。 样品选择与数据来源：

2. 样品选择与数据来源：衬底经过特定处理（如AlN缓冲层沉积、硅氮化处理、SiO2干氧氧化）。采用聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）辅助法将石墨烯转移至SiO2/Si衬底。

3：实验设备与材料清单：

设备包含配备射频等离子体氮源的RIBER Compact 12 MBE系统、光学高温计、反射高能电子衍射仪（RHEED）、扫描电子显微镜（SEM）、显微光致发光（μPL）系统（配备244nm Ar++激光器、325nm激光器、266nm三倍频钛宝石激光器）、光栅光谱仪（1200/2400/1800线/mm）、电荷耦合器件（CCD）探测器、条纹相机及拉曼光谱仪（inVia显微拉曼光谱仪，532nm激光）。材料包括GaN、石墨烯、SiO2、Si、AlN、PMMA、丙酮、异丙醇及刻蚀转移用化学品。

4：Si、AlN、PMMA、丙酮、异丙醇及刻蚀转移用化学品。 实验流程与操作规范：

4. 实验流程与操作规范：衬底制备后装入MBE反应腔，根据衬底类型设定生长参数（温度、V/III比、时间）。生长后通过SEM表征形貌，μPL分析稳态发光，瞬态PL研究动力学过程，拉曼光谱评估石墨烯质量。具体操作包含：使用RHEED进行温度校准，0.57sccm氮气流量与400W射频功率运行等离子体，采用不同波长/功率激光激发。

5：57sccm氮气流量与400W射频功率运行等离子体，采用不同波长/功率激光激发。 数据分析方法：

5. 数据分析方法：通过指数拟合分析PL光谱的峰位、半高宽（FWHM）及衰减时间；基于SEM图像统计纳米线直径；利用拉曼光谱确认石墨烯层数与质量。