研究目的
研究电子在硅和钨单晶中沟道化的过程，探究粒子分布密度的动力学特性，并描述一种基于沟道辐射及其转化为正电子的非传统正电子源。
研究成果
该研究提供了厚晶体中存在脱轨效应时的沟道辐射光谱特性，为优化混合正电子源提供了见解。钨晶体的正电子产额更高，入射角会影响辐射和正电子产生。金刚石晶体尽管输出较低，但在完美性和脱轨长度方面具有优势。
研究不足
这些模拟基于理论模型，可能未充分考虑晶体中的实际缺陷或实验不确定性。该研究仅针对特定晶体（钨、硅、锗、碳）和能量范围，其普适性有限。
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厚金刚石结构与钨单晶中的沟道辐射与正电子产生模拟
DOI：10.1016/j.radphyschem.2019.01.001
期刊：Radiation Physics and Chemistry
出版年份：2019
更新时间：2025-09-24 05:13:30
摘要：
研究了能量为2 GeV的电子在硅和钨单晶(110)面沟道中的退沟道过程。通过分析初始电子束能量与散射分布的影响，探究了粒子分布密度的动力学特性。运用?？?普朗克方程求解，研究了退沟道效应对沟道辐射光谱强度的影响。基于相对论电子沿钨、硅、锗和碳(金刚石)单晶不同晶面或晶轴沟道产生辐射，并在非晶钨靶中转化为e+e?对，描述了一种非常规正电子源。采用自主开发的Mathematica程序模拟了沟道辐射及其与入射晶体角度的依赖关系，利用GEANT4软件包模拟了辐射向e+e?对的转化及正电子的能量分布。
作者：
B. Azadegan，W. Wagner，A.A. Savchenko，A.A. Tishchenko
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