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Ultranarrow-waveguide AlGaAs/GaAs/InGaAs lasers

DOI:10.1070/QEL16944 期刊:Quantum Electronics 出版年份:2019 更新时间:2025-09-11 14:15:04
摘要: We have designed, fabricated and studied ultranarrow-waveguide heterostructure lasers emitting in the spectral range 1000 – 1100 nm. The lasers have been characterised by current – voltage, light – current, far-field intensity distribution and internal optical loss measurements. The ultranarrow-waveguide lasers have been shown to have a threshold current density of ~75 A cm–2, internal quantum efficiency near 100 % and internal optical loss near the lasing threshold under 1 cm–1, which corresponds to the level of standard heterostructures. We have demonstrated the possibility of obtaining up to 5 W of output power in continuous mode and up to 30 W in pulsed mode, with a beam convergence (FWHM) of 17.8°. The slope of the internal optical loss as a function of pump current for the ultranarrow-waveguide lasers can be markedly lower than that in lasers with a standard design, but internal quantum efficiency drops to 40 % with increasing pump current. The use of barrier layers in ultranarrow-waveguide lasers makes it possible to substantially reduce the drop in internal quantum efficiency.
作者: Yu.K. Bobretsova,D.A. Veselov,A.A. Klimov,L.S. Vavilova,V.V. Shamakhov,S.O. Slipchenko,N.A. Pikhtin
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研究概述 实验方案

To design, fabricate, and study ultranarrow-waveguide heterostructure lasers emitting in the spectral range 1000 – 1100 nm, assess the effects of basic parameters such as the doping profile and waveguide thickness, and energy barrier layers on the laser performance.

Ultranarrow-waveguide heterostructure lasers have acceptable threshold characteristics and offer considerable room for performance optimization by varying the doping profile and waveguide thickness and utilizing energy barrier layers. Further research should be directed towards a search for and optimization of heterostructure designs, especially the emitter doping profile and waveguide thickness.

The ultranarrow-waveguide heterostructure lasers are somewhat inferior in power characteristics to lasers with the standard heterostructure design, mainly due to the rapid decrease in internal quantum efficiency with increasing pump current. The addition of barrier layers raises the internal quantum efficiency but leads to a slight increase in the slope of the internal optical loss as a function of current.

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