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Synthesis of heavy fermion CeCoIn5 thin film via pulsed laser deposition

DOI:10.1016/j.cap.2019.08.021 期刊:Current Applied Physics 出版年份:2019 更新时间:2025-09-12 10:27:22
摘要: CeCoIn5 (Co115) thin films have been grown on Al2O3 (000l) substrates through the pulsed laser deposition (PLD). The films are grown mainly along the c-axis, with CeIn3 and In-related alloys. The rock-salt type grains are nucleated, where Co115 grains mixed with excess indium are evenly distributed over the substrate. The electrical resistivity of the films shows a Kondo coherence peak near 47 K and the zero-resistance superconducting state at 1.8 K, which is the first observation in the PLD grown thin films of Co115. The Rietveld refinement of the thin films shows that the c/a ratio (tetragonality) is suppressed to 1.6312 from 1.6374 of single crystals, which is consistent with the linear relationship between the superconducting transition temperature and tetragonality. The good agreement indicates that the PLD could provide an alternative route to tune the 2D character of the critical spin fluctuations to understand the superconducting pairing mechanism of Co115.
作者: Jihyun Kim,Hanul Lee,Sangyun Lee,Sungmin Park,Hyoyoung Lee,Won Nam Kang,Woo Seok Choi,Tuson Park,YoonHee Cho
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To synthesize heavy fermion CeCoIn5 thin film via pulsed laser deposition and investigate its superconducting properties.

The study successfully synthesized thin films of CeCoIn5 on c-cut Al2O3 substrates using PLD. The films showed a zero-resistance superconducting transition at 1.8 K and a Kondo coherence peak at 49 K. The temperature dependence of the upper critical field was in good agreement with that of high-quality single crystals. Further optimization of growth conditions is needed to produce high-quality epitaxial thin films without secondary phases.

The growth of Co115 thin films depends on deposition conditions such as laser fluence, deposition temperature, and ambient pressure in the PLD. The deposition window required for obtaining Co115 layers is narrow, making it difficult to grow high-quality epitaxial thin films without secondary phases.

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