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Manufacturing and Characterization on aThree-Dimensional Random Resonator of Porous Silicon/TiO <sub/>2</sub> Nanowires for Continuous Light Pumping Lasing of Perovskite Quantum Dots

DOI:10.1142/s1793292020500162 期刊:Nano 出版年份:2020 更新时间:2025-09-23 15:19:57
摘要: In recent years, all inorganic bismuth lead-halide perovskite nanocrystals [CsPbX3 (X ? Cl, Br, I)] have received extensive attention due to their high performance in °uorescence quantum yield, narrow emission spectrum, and adjustable emission range. However, the disadvantages of high cost and poor stability have greatly limited the development prospects of the material. Here, in order to develop a perovskite quantum dot lasing cavity with high chemical stability, high quality factor and low fabrication cost, we have successfully fabricated a 3D random cavity device based on porous silicon/TiO2 nanowires. A TiO2 nanowire is grown on the porous silicon to form a 3D resonant cavity, and a perovskite quantum dot is spin-coated on the surface of the 3D resonant cavity to form a novel 3D complex ˉlm. The novel structure enhances the chemical stability and lasing quality factor of the resonant cavity while the °uorescence generated by the large quantum dots in the spatial interference structure constitutes the feedback loop, which will provide favorable support for the development of information optics.
作者: Yining Mu,Tuo Zhang,Tianqi Chen,Fanqi Tang,Jikai Yang,Chunyang Liu,Zhangxiaoxiong Chen,Yiming Zhao,Peng Du,Haibo Fan,Yan Zhu,Guozhen Liu,Ping Li
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研究概述 实验方案 设备清单

To develop a perovskite quantum dot lasing cavity with high chemical stability, high quality factor and low fabrication cost.

The porous Si/TiO2 nanowire 3D random cavity device structure can achieve random lasing of perovskite quantum dots under continuous optical pumping, offering advantages of high chemical stability and low manufacturing cost. This structure provides important support for the development of information optics.

The technical and application constraints include the difficulty in directly growing high-quality TiO2 nanowires on the porous silicon surface due to lattice mismatch, and the potential for device failure rate to increase with time.

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