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An experimental study on the blinking suppression mechanism of organic-inorganic formamidinium lead halide perovskite quantum dots on N-Type semiconductors

DOI:10.1063/1.5140238 期刊:APL Materials 出版年份:2020 更新时间:2025-09-23 15:19:57
摘要: Lead halide perovskite has emerged as a potential material for a wide range of applications, including solar cells, light-emitting diode displays, lasing, and single photon emitters. To optimize their utilization in optoelectronic devices, the fundamental photophysical properties, especially their charge carrier transition and blinking behaviors, must be elucidated. In this study, we investigate the blinking behaviors of single formamidinium bromide perovskite quantum dots (FAPbBr3 PQDs) on the n-type TiO2 substrate. It is suggested that the electrons from TiO2 fill the trap states of FAPbBr3 PQD during Fermi-level equilibrium, which can reduce the possibility of capturing the hot electrons from PQD into the trap states. In addition, charge separation and charge recombination processes between PQD and TiO2 are expected to shorten the duration of the OFF state, thus stabilizing the fluorescence of PQDs.
作者: Cong Tai Trinh,Duong Nguyen Minh,Van Long Nguyen,Kwang Jun Ahn,Youngjong Kang,Kwang-Geol Lee
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Investigating the blinking suppression mechanism of organic-inorganic formamidinium lead halide perovskite quantum dots on N-Type semiconductors to optimize their utilization in optoelectronic devices.

The study demonstrates efficient blinking suppression of FAPbBr3 PQDs on TiO2 substrates at room temperature, primarily due to the filling of trap states by electrons from TiO2 and the introduction of extra non-radiative electron transfer pathways. This finding provides significant insights into the charge carrier transport between PQDs and TiO2, which is crucial for the practical applications of PQD-based optoelectronic devices.

The study is limited to room temperature observations and does not explore the effects of varying temperatures on blinking suppression. Additionally, the impact of different n-type semiconductors other than TiO2 is not investigated.

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