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In-doped Sb nanowires grown by MOCVD for high speed phase change memories

DOI:10.1016/j.mne.2018.11.002 期刊:Micro and Nano Engineering 出版年份:2018 更新时间:2025-09-09 09:28:46
摘要: We investigated the Phase Change Memory (PCM) capabilities of In-doped Sb nanowires (NWs) with diameters of (20-40) nm, which were self-assembled by Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) via the vapor-liquid-solid (VLS) mechanism. The PCM behavior of the NWs was proved, and it was shown to have relatively low reset power consumption (~ 400 μW) and fast switching capabilities with respect to standard Ge-Sb-Te based devices. In particular, reversible set and reset switches by voltage pulses as short as 25 ns were demonstrated. The obtained results are useful for understanding the effects of downscaling in PCM devices and for the exploration of innovative PCM architectures and materials.
作者: R. Cecchini,S. Selmo,C. Wiemer,M. Fanciulli,E. Rotunno,L. Lazzarini,M. Rigato,D. Pogany,A. Lugstein,M. Longo
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Investigating the Phase Change Memory (PCM) capabilities of In-doped Sb nanowires (NWs) grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) for high-speed phase change memories.

The functional analysis of In-doped Sb NW-based PCM devices gave promising results in terms of power consumption and, in particular, of operational speed, in comparison to the usually employed Ge-Sb-Te alloys for PCM. These findings advance the understanding of Sb-based PCM alloys and of the effects of downscaling to 1-dimensional geometries on the PCM functioning mechanisms. They also contribute to the implementation of innovative nanostructures into the next generation of highly dense and highly performing PCM devices.

The studied NWs were not coated by a protective layer during the electrical measurements, which resulted in a limited number of cycles, before the device failed, likely as a consequence of evaporation during the reset operation.

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