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[IEEE 2018 13th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC) - Madrid, Spain (2018.9.23-2018.9.25)] 2018 13th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC) - Robust X-band GaN LNA with Integrated Active Limiter

DOI：10.23919/EuMIC.2018.8539928 出版年份：2018 更新时间：2025-09-04 15:30:14
摘要： In this paper, design and measurement of X-Band monolithic microwave integrated circuit (MMIC) low noise amplifiers (LNA) using a commercial 0.25 um microstrip GaN-on-SiC high electron mobility transistor (HEMT) technology are reported. Using a novel active limiting approach in measurements, lower than 1.75 dB noise figure (NF) and higher than 16 W CW input power survivability is obtained from a single chip. To the best of authors’ knowledge, said LNA has the highest input power handling performance for the given noise figure level although transistors are not optimized for low-noise operation and input matching network is realized to compromise between noise figure and input return loss which is better than 10 dB. Results are promising for single chip GaN frontend transceiver architecture realization.
作者： ?a?da? Ya?basan，Ahmet Aktu?
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

Design and measurement of X-Band monolithic microwave integrated circuit (MMIC) low noise amplifiers (LNA) using a commercial 0.25 um microstrip GaN-on-SiC high electron mobility transistor (HEMT) technology to achieve lower than 1.75 dB noise figure (NF) and higher than 16 W CW input power survivability from a single chip.

研究成果

Highly robust, compact, and low noise amplifiers (LNA) were designed and realized with a commercial 0.25 um GaN-on-SiC technology. With the inclusion of novel active limiting circuitry, the highest input power handling performance for the given noise figure level in X-band from a single chip is achieved.

研究不足

Recovery time is significantly larger than the 200–300 ns usually required for X-Band Radar applications.

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