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高性能碳化硅功率封装——过去趋势、当前实践与未来方向
摘要： 本文提出了碳化硅（SiC）功率模块未来三维封装与集成的愿景。重点介绍了碳化硅?？榇庸サ较衷谌〉玫闹饕删秃托掠奔芄埂；谡庑┘际踅梗颐鞘侗鸪鲎璋蓟韫β势骷浞址⒒有阅艿墓丶际跗烤?。通过调研提升硅基功率模块性能所采用的三维无引线键合方案并评估其优势，为碳化硅功率封装的未来发展提供思路。文中还描述了当前三维无引线键合碳化硅功率模块的研究进展，并探讨了一种新型碳化硅功率模块的设计理念。
关键词： 宽禁带、三维封装、高功率密度、电力电子、无引线键合
更新于2025-09-23 15:21:01
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基于硅通孔的电容式MEMS传感器三维封装技术研究
摘要： 研究了一种适用于电容式微机电系统（MEMS）传感器的新型三维（3D）气密封装技术。采用玻璃-硅（GIS）回流工艺制备的带硅通孔（TSV）复合衬底作为封装盖板。特别地，设计嵌入玻璃盖中的低电阻率硅柱同时作为电学通孔和固定电容极板，以简化制备流程并提升可靠性。系统研究了该封装盖板的制备工艺与性能参数：实测硅垂直通孔电阻低至263.5毫欧，表明其具备优良的电学互连特性；玻璃与硅表面均方根粗糙度分别仅为1.12纳米和0.814纳米，完全满足最终晶圆键合要求。通过在真空环境下对封装盖板与含传感结构的硅晶圆进行阳极键合，实现了气密封装。该封装方案成功应用于电容式陀螺仪，封装后器件品质因数超过22万，较未封装状态提升至少一个数量级，验证了方案有效性。此外，封装失效率低于1%，证实了该技术在高性能MEMS真空封装中的可行性与可靠性。
关键词： 垂直互连、电容式、玻璃回流焊、微机电系统、三维封装
更新于2025-09-23 19:39:54
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[2019年IEEE第69届电子元件与技术会议（ECTC）- 美国内华达州拉斯维加斯（2019.5.28-2019.5.31）] 2019年IEEE第69届电子元件与技术会议（ECTC）- 面向先进"3.5D"芯片封装的垂直激光辅助键合技术
摘要： 本工作将激光辅助键合（LAB）工艺与热压键合（TCB）进行对比，分析了两者在倒装芯片堆叠组装中的优缺点。研究发现，LAB具有更快的加工速度、可忽略的压缩力，并在芯片堆叠中产生更小的内部应力。文中提出了"3.5D"堆叠新概念，该技术可实现芯片/半导体与芯片堆叠侧面的垂直键合。通过垂直键合部件可直接实现层间互连，从而无需单独设置硅通孔（TSVs）。
关键词： 三维封装、硅中介层、热压键合（TCB）、金属间相（IMC层）、激光辅助键合（LAB）、系统级封装（SOP）、激光束调制、垂直倒装芯片键合
更新于2025-09-16 10:30:52