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oe1(光电查) - 科学论文

19 条数据
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  • 利用电流-电压测量研究辐照硅的反向退火

    摘要： 通过I-V测量研究了辐照硅p-i-n二极管的退火行为。采用1 MeV中子产生辐射损伤。分析结果显示一个显著特征：未退火的缺陷会改变其活性，更倾向于表现为复合中心。这意味着这些缺陷位于能带隙上半区，会增加载流子浓度和测量电流。电流增长始于辐照后约100天，陷阱活性变化出现在辐照后约180天。但器件始终呈现欧姆特性，表明导致弛豫行为的缺陷能级保持稳定。本研究有助于证明硅辐射探测器在运行期间的稳定性。

    关键词： 二极管，电流，辐射，半导体，硅，退火

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 可调谐自旋塞贝克二极管与磁振子自旋隧穿结

    摘要： 我们从理论上研究了磁振子自旋隧道结（MSTJs）中任意磁化方向下由自旋塞贝克效应诱导的自旋波自旋电流。研究表明，MSTJ可作为可调谐的自旋塞贝克二极管，通过控制磁化方向能高效地开启或关闭隧穿自旋电流。

    关键词： 自旋流、自旋塞贝克效应、二极管、磁化方向、磁振子自旋隧道结

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 量子点电路量子电动力学热电二极管与晶体管

    摘要： 量子点电路量子电动力学系统近期的突破性进展，无论从基础研究角度还是量子光子器件应用前景来看都极具潜力。然而，这类装置作为热电器件的可能性尚未被深入探究。本文通过Keldysh非平衡格林函数方法证明，腔耦合双量子点可成为优异的量子热电二极管和晶体管。基于精确极化子变换的增强微扰方法显示，其热电输运特性对电子-光子相互作用的依赖关系超越了传统二阶微扰理论的预测。特别值得注意的是，在线性输运区间内，强光-物质相互作用会引发显著的电荷与热量整流效应以及热晶体管效应，这为量子热电器件开辟了前沿新领域。

    关键词： 整流、光-物质相互作用、电路量子电动力学（cQED）、二极管、晶体管、热电、热晶体管、量子点

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 基于直流电流母线分布式电源系统结构的多通道恒流LED驱动器分析与设计

    摘要： 本文系统研究了阳极凹槽对200毫米硅衬底上无金AlGaN/GaN门控边缘终端肖特基势垒二极管（GET-SBDs）反向漏电流、正向电压（VF）及动态特性的影响。通过增加阳极凹槽的原子层刻蚀（ALE）循环次数，我们发现：1）由于GET区域对沟道夹断的静电控制更优，反向漏电流得到显著抑制——经六次ALE循环处理的GET-SBDs实现了约1 nA/mm的中值漏电流和超过10^8的ION/IOFF比；2）考虑晶圆统计分布后，正向电压（约1.3 V）几乎不受ALE循环次数影响；3）当剩余AlGaN势垒层变得极薄时（如六次ALE循环情况），由于剩余AlGaN厚度与表面质量控制难度增大，主要源自GET区域的导通电阻可能出现离散；4）脉冲I-V特性测试显示GET-SBDs的动态正向电压对ALE工艺依赖性较弱，但动态导通电阻表现出更强的ALE工艺相关性。

    关键词： 原子层刻蚀（ALE）、200毫米、漏电、金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管（MISHEMT）、GET-SBD、二极管、AlGaN/GaN

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 经尿道前列腺剜除术中使用激光——我们真的需要吗

    摘要： EEP（经尿道前列腺内镜剜除术）这一缩写术语由欧洲泌尿外科学会（EAU）非神经源性男性下尿路症状（LUTS）与良性前列腺梗阻（BPO）管理指南小组于2016年提出。此后，基于激光的钬激光前列腺剜除术（HoLEP）和基于电流的双极前列腺剜除术（BipoLEP）均被视为治疗BPO的有效方案。这主要源于两项比较开放性前列腺切除术与HoLEP或BipoLEP的随机对照试验荟萃分析结果。在此之前，尽管2006年已有等效性证据存在，但由于双极能量治疗术语繁杂及临床实践中对HoLEP的过度侧重，HoLEP被奉为经尿道剜除术的唯一有效选择。另一方面，学术讨论聚焦于新兴的其他激光技术——2009年出现的铥激光汽化剜除术（ThuVEP），以及2010年最终确立的铥激光解剖性前列腺剜除术（ThuLEP）。早期关于激光的讨论主要关注不同激光器的特性而非技术或手术解剖学。2016年及之后，讨论焦点最终转向手术技术，并认可解剖学准备是所有EEP技术（AEEP）的共同基础。自此，一个潜在问题被提出：鉴于这些激光发生器的总拥有成本（TCO），现有证据是否仍支持必须使用激光实施EEP？本文权衡现有证据后得出结论：就任何终点指标而言，尚无证据表明某种治疗方式具有优越性。因此从关键重要性角度而言，无需依赖激光技术亦可安全有效地实施AEEP且不影响疗效。

    关键词： AEEP（前列腺剜除术）、钬、LBO（三硼酸锂晶体）、EEP、GreenLEP、铥、ThuLEP（铥激光前列腺剜除术）、Greenlight（绿光）、汽化剜除术、ThuVEP（铥激光前列腺汽化剜除术）、激光、HoLEP（钬激光前列腺剜除术）、二极管

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 通过可控插层对范德华材料进行互补掺杂以实现单片集成电子器件

    摘要： 掺杂控制一直是范德瓦尔斯材料电子应用面临的关键挑战。本研究通过可控离子插层技术实现了黑磷的互补掺杂，构建出一体化功能单元。我们系统表征了离子浓度依赖的各向异性电输运特性，发现电阻率可在三个数量级范围内调控，其浓度依赖特征与插层过程中的相变行为相对应。进一步地，我们成功研制出兼具高稳定性和优异性能的p型/n型场效应晶体管及电学二极管。此外，插层过程使载流子迁移率从380提升至820 cm2/(V·s)，基于第一性原理计算将其归因于中性杂质散射的抑制效应。本研究为原子级精准调控范德瓦尔斯材料电学特性提供了新途径，有望推动先进电子器件与物理平台的发展。

    关键词： 纳米电子学、二维（2D）材料与异质结构、可调谐特性、二极管、黑磷、场效应晶体管（FET）

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • [2019年IEEE机电一体化与自动化国际会议（ICMA）- 中国天津（2019.8.4-2019.8.7）] 2019年IEEE机电一体化与自动化国际会议（ICMA）- 单光束脉冲激光扫描周向检测系统光谱仪参数优化

    摘要： 本文系统研究了阳极凹槽对200毫米硅衬底上无金AlGaN/GaN门控边缘终端肖特基势垒二极管（GET-SBDs）反向漏电流、正向电压（VF）及动态特性的影响。通过增加阳极凹槽的原子层刻蚀（ALE）循环次数，我们发现：1）由于GET区域对沟道夹断的静电控制更优，反向漏电流得到显著抑制——经六次ALE循环处理的GET-SBDs实现了约1 nA/mm的中值漏电流及超过10^8的ION/IOFF比值；2）正向电压（约1.3 V）基本不受ALE循环次数影响（考虑晶圆统计分布）；3）当剩余AlGaN势垒层极薄时（六次ALE循环情况），由于剩余AlGaN厚度及表面质量控制难度，主要源自GET区域的导通电阻会出现离散；4）动态正向电压在脉冲I-V特性中呈现轻微的ALE工艺依赖性，而动态导通电阻则表现出更显著的ALE相关性。

    关键词： 泄漏、二极管、AlGaN/GaN、GET-SBD、金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管（MISHEMT）、200毫米、原子层刻蚀（ALE）

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • [2019年IEEE国际电工复合系统与技术会议（ICOECS）- 俄罗斯乌法（2019.10.21-2019.10.25）] 2019年国际电工复合系统与技术会议（ICOECS）- 基于降低PAPR方法提升OFDM光载无线系统能效的研究

    摘要： 本文回顾并阐述了电磁能量转换技术及其相关突破的演进路线与历史里程碑，重点关注低密度能量收集技术。文中分析了环境射频（RF）能量的电磁源成因并进行探讨。如何有效利用和回收此类环境电磁能量，是当前及未来无线能量收集设备与系统实用化的最关键问题?；诜湓捶治?，本文还推导出满足环境电磁能量收集应用需求的一组性能标准与发展考量。这些标准可通过简单测量射频整流器件（如二极管和晶体管）的I-V非线性特性以及线性频率特性（S参数）来计算。随后依据所定义的性能标准对现有整流器件进行评估。最后，本文对不同器件技术可能实现的性能进行了技术展望与讨论。鉴于所提出的自旋二极管技术有望成为开发高效环境能量收集器的最具前景的器件平台，本工作特别着重介绍了这一颠覆性方案。

    关键词： 二极管、金属-绝缘体-金属（MIM）、自旋二极管、磁隧道结（MTJ）、能量收集、肖特基二极管、晶体整流器、环境射频（RF）能量、反向二极管

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 具有ZnSe/ZnS/GaAs布拉格反射镜的MSM光电探测器

    摘要： 研究了ZnSe/ZnS/GaAs分布式布拉格反射器对金属-半导体-金属（MSM）二极管光谱响应的影响。构成MSM二极管中分布式布拉格反射器的ZnSe/ZnS/GaAs异质结构，其计算与实验反射光谱具有良好的一致性。该MSM探测器在420和472纳米处呈现双色响应，在响应信号的长波部分光敏度急剧下降，具有53%的高量子效率及5×10?1?安培的低暗电流。通过适当选择异质结构参数，可调节探测器的双色响应至所需波长。

    关键词： 金属-半导体-金属（MSM）二极管、暗电流、异质结构、红外探测器、布拉格反射器、光谱响应

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • [2019年机电一体化、机器人与系统工程国际会议(MoRSE) - 印度尼西亚巴厘岛 (2019.12.4-2019.12.6)] 2019年机电一体化、机器人与系统工程国际会议(MoRSE) - 基于光谱与卷积神经网络的瓶装水识别与欺诈检测

    摘要： 本文深入研究了阳极凹陷对200毫米硅衬底上无金AlGaN/GaN自对准栅边缘终止肖特基势垒二极管（GET-SBDs）反向漏电流、正向电压（VF）及动态特性的影响。通过增加阳极凹陷的原子层刻蚀（ALE）循环次数，我们发现：1）由于GET区域对沟道夹断的静电控制更优，反向漏电流得到显著抑制——经六次ALE循环处理的GET-SBDs实现了约1 nA/mm的中值漏电流和超过10^8的ION/IOFF比；2）正向电压（约1.3 V）基本不受ALE循环次数影响（考虑晶圆统计分布后）；3）当剩余AlGaN势垒层过薄时（如六次ALE循环情况），由于剩余AlGaN厚度及表面质量控制难度增大，可能导致主要源于GET区域的导通电阻离散；4）脉冲I-V特性测试显示GET-SBDs的动态正向电压对ALE工艺依赖性较弱，但观察到更显著的ALE工艺相关动态导通电阻变化。

    关键词： 原子层刻蚀（ALE）、200毫米、漏电、金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管（MISHEMT）、GET-SBD、二极管、AlGaN/GaN

    更新于2025-09-19 17:13:59