二维材料中孪晶畴界的形成机制：以WTe2为例

摘要： 我们的扫描隧道显微镜（STM）研究首次观察到，在通过固化铟粘合于硅基底的WTe2单晶表面形成了孪晶畴界（TDB）。通过几何相位分析发现，这些TDB区域存在显著的应变不均匀场，特别是约7%的临界剪切应变。该观测结果与"二维材料中微小机械应力就足以驱动热致TDB形成"的传统认知相矛盾。为解决这一矛盾，我们结合弹性理论分析进行密度泛函理论计算，结果表明WTe2上的TDB完全由位移诱导产生，且需要临界应变来克服形核势垒。