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oe1(光电查) - 科学论文

5 条数据
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  • β-(Al?Ga???)?O?/Ga?O?调制掺杂场效应晶体管中低温饱和速度的评估

    摘要： 我们报道了调制掺杂β-(AlxGa1?x)2O3/Ga2O3异质结构的高场输运特性与饱和速度。通过霍尔测量证实该调制掺杂结构中形成了二维电子气(2DEG)，其2DEG沟道迁移率从室温下的143 cm2/V·s提升至50 K时的1520 cm2/V·s。50 K下的高电子迁移率使得沟道内实现速度饱和成为可能?；诼龀宓缌?电压测量和小信号射频(RF)测量估算了饱和速度，测得的速度-电场曲线表明50 K时饱和速度超过1.1×10? cm/s。对采用Pt肖特基接触制备的调制掺杂场效应晶体管进行了小信号射频特性测试，当栅长LG=0.61 μm时，器件的电流增益截止频率(ft)和最大振荡频率(fmax)从室温下的4.0/11.8 GHz显著提升至50 K时的17.4/40.8 GHz?；谄骷Ｄ夥治龅牡臀耭t数据表明峰值速度为1.2×10? cm/s。三端关态击穿测量进一步显示平均击穿场强为3.22 MV/cm。β-Ga2O3材料的高饱和速度与高击穿场强使其成为功率器件与高频应用的理想候选材料。

    关键词： 迁移率，β-氧化镓，调制掺杂场效应晶体管（MODFET），二维电子气（2DEG），饱和速度，高击穿场强

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 具有CdTe/PbTe异质结中二维电子气的高速中红外光电探测器

    摘要： CdTe/PbTe异质结（HJ）可产生具有高电子密度和迁移率的二维电子气（2DEG）?；诟?DEG开发出超高速、室温工作的中红外光电探测器。探测器的光响应源自HJ导带与价带能级排列所决定的PbTe本征响应特性。极短的上升/衰减光响应时间彰显了2DEG的显著优势。在λ=3.0μm波长、100mV偏压条件下，器件响应度达0.94A/W，比探测率高达2×101?琼斯。该探测器优异性能使其在中红外新型频率检测系统中具有重要应用前景。

    关键词： 二维电子气（2DEG）、室温（RT）工作、超高速响应、探测率、中红外探测器

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • AlGaN/GaN HEMT中电子迁移率的分析研究

    摘要： 基于氮化镓的异质结在高频功率应用方面展现出卓越潜力，这源于其较大的带隙能量和电子的高饱和漂移速度。高电子迁移率晶体管（HEMT）以AlGaN/GaN异质结为基础。我们的工作是对AlGaN/GaN HEMT载流子迁移率进行解析研究，计算电离杂质散射、残余杂质散射、界面粗糙度散射、合金无序散射、位错散射、声子和偶极子的影响，同时考虑工艺参数（掺杂浓度、铝组分含量）和几何结构（势垒层厚度、界面粗糙度）的作用。研究结果使我们能够分析二维电子气沟道中载流子密度的变化情况。

    关键词： 高电子迁移率晶体管（HEMT）、迁移率、散射机制、AlGaN/GaN异质结、二维电子气（2DEG）

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管大信号紧凑模型的解析栅电容模型

    摘要： 本文提出了一种用于AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管大信号紧凑模型的解析栅极电容模型。与MOSFET器件不同，该模型充分考虑了高压GaN器件栅极两侧不同的耗尽区。这些耗尽区具有偏压依赖性，从而将电容模型集成到大信号紧凑模型中。研究提出了一种传递函数来表征开关状态下电容的转换行为，这对于描述器件的所有工作状态（例如乙类工作状态）至关重要。与以往研究不同的是，在确定由非静态沟道电荷引起的本征电容时，本模型考虑了电流饱和现象。这些电容模型可轻松集成到基于虚拟源的模型中，从而准确预测S参数和大信号输出特性。

    关键词： 本征电容、二维电子气（2DEG）-电极边缘电容、氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMTs）、大信号紧凑模型

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • 采用低硼含量BGaN缓冲层增强AlGaN/AlN/GaN异质结构中的电子限制效应

    摘要： 由于纤锌矿BGaN合金具有较小的晶格常数a及其外延层良好的绝缘特性，采用低硼含量（0.005~0.02）的BGaN作为缓冲层有望成为GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）的背势垒。本文提出一种改进的BGaN背势垒HEMT结构（AlGaN/AlN/GaN/BGaN缓冲层），该结构不会产生寄生电子沟道。通过一维自洽模拟研究了BGaN缓冲层的能带分布和载流子分布。结果表明：极低硼含量的BGaN缓冲层能提供足够背势垒以增强电子限制，其原理与AlGaN缓冲层背势垒的形成机制类似。当沟道厚度增加到一定值时，通过将硼含量从0提升至0.02，甚至可在GaN/BGaN界面诱导出低密度的二维空穴气（2DHG）。一旦形成2DHG，继续增加硼含量会导致更高密度的2DHG，但对能带分布、电子限制及二维电子气（2DEG）密度的影响逐渐减弱。

    关键词： HEMT（高电子迁移率晶体管）、背势垒、二维电子气（2DEG）、二维空穴气（2DHG）、氮化铝镓/氮化镓（AlGaN/GaN）、氮化硼镓（BGaN）

    更新于2025-09-04 15:30:14