本征亚纳米晶硅薄膜：太阳能电池的活性层

摘要： 该研究利用射频等离子体增强化学气相沉积技术(RF-PECVD)，展示了在不同射频功率条件下生长的硅薄膜典型特性。研究发现所得材料保持了非晶态的典型特性，同时未牺牲结晶度方面的结构改性，这种材料被定义为具有"亚纳米晶相"。通过紫外-可见光谱、光致发光及温度依赖电导率等表征手段，有效揭示了材料的结构细节及其电学与光学特性。薄膜光学带隙在1.77电子伏特至1.99电子伏特间变化，典型光电响应范围为103至101。在30瓦射频功率下观察到亚纳米晶粒形成导致的转变区，对该相的分析表明其具有优异的光电特性。本文指出亚纳米晶硅薄膜可替代氢化非晶硅应用于多种场景。