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具有增强介电和微波吸收性能的FeSiAl/ZnO填充树脂复合涂层
摘要： 已开发出以树脂为基体、FeSiAl与ZnO粉末为混合填料的复合涂层，其有望作为微波吸收涂层应用。研究人员在8.2-12.4 GHz（X波段）频率范围内，研究了FeSiAl和ZnO含量对该复合涂层的复介电常数、复磁导率及反射损耗（RL）的影响。与复磁导率相比，复介电常数对吸收剂含量的依赖性更强，且随着FeSiAl或ZnO含量增加，介电常数值显著提升。由于具备最佳阻抗匹配和适当的电磁衰减特性，当涂层厚度为2.2 mm时，填充35 wt% FeSiAl和20 wt% ZnO粉末的复合涂层展现出最优异的微波吸收性能：在8.6-12.1 GHz频段内实现3.5 GHz的有效吸收带宽（<-10 dB，>90%吸收），并在10.4 GHz处产生-40.5 dB的强吸收峰。结果表明，FeSiAl/ZnO填充树脂复合涂层可作为高效强微波吸收涂层的优质候选材料。
关键词： FeSiAl、介电性能、树脂复合涂层、微波吸收、ZnO
更新于2025-09-10 09:29:36
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核壳结构AgNWs@SiO2/PDMS复合材料的增强介电、机电及疏水性能
摘要： 本文报道了一种通过向聚二甲基硅氧烷（PDMS）中引入核壳结构AgNWs@SiO2填料来制备具有增强介电、机电及疏水性能的聚合物纳米复合材料的可行方法。首先通过两步溶胶-凝胶法合成了均匀的核壳结构AgNWs@SiO2，其中银纳米线与二氧化硅包覆层的厚度分别约为70纳米和20纳米。由于界面极化增强，介电常数得到有效提升；而通过引入绝缘的二氧化硅中间层来调节核壳纳米线的内部表面积并限制银纳米线间的电子转移，实现了极低的介电损耗和电导率。典型地，含20 wt% AgNWs@SiO2的PDMS纳米复合材料介电常数为6.7，是纯PDMS的2.7倍，且在1 kHz下仍保持极低的0.02损耗。同时，该纳米复合材料还展现出更优的机电和疏水性能：含10 wt% AgNWs@SiO2的复合材料在1 kHz下具有最高机电灵敏度（β=9.04），约为纯PDMS的12.6倍；含20 wt% AgNWs@SiO2的纳米复合材料静态接触角达到129°。这些性能提升使其在介电弹性体材料和电润湿器件领域具有重要应用潜力。
关键词： 介电性能、机电性能、核壳结构、界面极化
更新于2025-09-10 09:29:36
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掺铕(Sr1-xBax)0.98Eu0.02Nb2O6多功能钨青铜陶瓷中与锶钡比相关的光致发光和铁电行为
摘要： 采用传统固相反应法制备了无铅铕(Eu3?)掺杂(SrxBa1-x)0.98Eu0.02Nb2O6(SBEN, 0.3≤x≤0.7)陶瓷。选择Eu3?作为掺杂剂旨在基于其电学特性诱导强红色光致发光。通过改变x值研究了Sr/Ba比对SBEN陶瓷晶体结构、介电、铁电及光致发光性能的影响。所有陶瓷均获得具有P4bm空间群的单斜钨青铜结构。随着x值增大，陶瓷晶粒形貌明显从均匀等轴状转变为各向异性柱状。介电谱表明，所得SBEN陶瓷从正常铁电体转变为弛豫铁电体，且A位Sr2?含量增加时居里温度Tm逐渐降低。所有SBEN陶瓷均呈现对应橙色磁偶极跃迁(594 nm, 5D0→7F1)和红色电偶极跃迁(618 nm, 5D0→7F2)的两个强发射峰。本研究探讨了组分中Sr/Ba比对Eu3?红/橙发射比的影响，以分析不同A位点的离子占位情况。
关键词： 弛豫铁电体、介电性能、发光、钨青铜结构
更新于2025-09-10 09:29:36
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钴掺杂对氧化锌微观结构及介电性能的影响
摘要： 采用溶胶-凝胶法合成了纯ZnO及掺杂不同钴含量（2.5、5、7.5和10 at%）的ZnO纳米颗粒。通过X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)对合成纳米颗粒进行表征。0、2.5和5 at%钴掺杂的ZnO纳米颗粒均呈现六方纤锌矿结构且无其他杂相。与纯ZnO粉末相比，钴掺杂ZnO的(101)衍射峰位置向更小的衍射角方向移动，证实钴离子已有效掺入ZnO晶格。同时，钴掺杂抑制了颗粒生长，随着掺杂浓度从0增至10 at%，晶粒尺寸从43.11 nm减小至36.63 nm。所有钴掺杂ZnO纳米颗粒的光学带隙Eg值随钴含量增加从3.09 eV逐渐降至2.66 eV。特别地，当钴含量从0增至10 at%时，所有钴掺杂ZnO陶瓷的介电常数从1.62×103逐渐增至20.52×103，介电损耗则从2.36降至1.28。
关键词： 氧化锌、陶瓷、纳米粒子、介电性能、共掺杂
更新于2025-09-10 09:29:36
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CuInSTe/CdS异质结的表征
摘要： 本研究考察了衬底温度在(293-423)K范围内对CuInSTe薄膜结构和微观结构的影响。结果表明：室温(Ts=293K)制备的薄膜呈非晶态，高温制备的薄膜为多晶态。随着衬底温度升高，晶粒尺寸和表面粗糙度增大。通过100Hz-10MHz频率范围和303-453K热处理温度范围，研究了交流电导率的频率与温度依赖性。发现交流激活能随衬底温度从293K升至423K从0.1132eV增至0.1258eV，随频率从100Hz升至10^7Hz降至0.0962eV。指数随衬底温度升高呈现非系统性变化。结果表明薄膜结构与制备温度及热处理存在关联。根据电流-电压特性，在423K衬底温度下制备的CuInSTe/CdS异质结在光照条件下展现出最佳电学性能。
关键词： 活化能、异质结、四元合金CuInSTe、介电性能、薄膜
更新于2025-09-10 09:29:36
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铈掺杂、锰掺杂及铈-锰共掺杂对BaTiO3陶瓷介电性能的增强作用
摘要： 通过传统固相反应法合成了Ba1?xCexTi1?yMnyO3（x和y取值范围为0.00至0.03）陶瓷样品。样品在1473 K下烧结4小时。观察到晶粒尺寸随掺杂剂和共掺杂剂浓度增加而增大。X射线衍射证实这些钛酸钡基陶瓷具有立方相并存在少量第二相。电流密度与电压呈近似线性关系，样品的交流电阻率随频率和掺杂浓度升高而降低。在低频范围（0.2-10 kHz）内，介电常数和介电损耗随频率升高而减小，但在高频区（>10 kHz）基本保持不变。虽然铈掺杂样品比锰掺杂样品表现出更优的介电性能，但经改进介电性能的铈-锰共掺杂样品可用于制备不同光电设备。
关键词： 电阻率、扫描电子显微镜、固相反应、介电性能、X射线衍射、晶粒尺寸
更新于2025-09-09 09:28:46
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Al/Si原子比对磁控溅射Al1-xSixOy涂层光学和电学性能的影响
摘要： 本研究探讨了直流磁控溅射制备的Al1-xSixOy非晶透明薄膜中Al/Si原子比对化学成分、薄膜结构以及光学和电学性能的影响。通过X射线光电子能谱（XPS）分析证实，当Al1-xSixOy薄膜中的硅含量从0原子%增至31.1原子%时，沉积速率提高且Al-O-Si能量键增多。另一方面，随着薄膜中硅含量的增加，光学常数（折射率n和消光系数k）、介电常数、损耗角正切（tanδ）和交流电导率（σac）均呈现下降趋势。结果表明，折射率相对于Al2O3（或SiO2）体积百分比的变化呈现轻微的非线性偏差。介电常数和介电损耗显示出两种偶极贡献，分别归因于位于或靠近基底/氧化物界面的缺陷，以及氧化物体相中的缺陷。
关键词： 电导率、溅射、介电性能、氧化铝硅、光学性能
更新于2025-09-09 09:28:46
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外应力/应变对铌酸钾晶体相变及介电性能的影响
摘要： 我们采用朗道-金兹堡-德文希尔唯象理论研究了冲击波压缩对铌酸钾铁电晶体结构、介电及铁电性能的影响。结果表明：立方相向四方相以及四方相向正交相的转变温度随冲击压缩增强而升高，其相变温度对应变的导数估算值为21.9°C/10?3；正交相向菱方相的转变温度则随冲击压缩增强而降低，对应变的导数估算值为-144.3°C/10?3。当温度为400°C且冲击压缩应变从0增至4×10?3时，四方相KNbO?晶体的剩余极化强度提高了15.3%。在350°C条件下，冲击压缩应变从0增至1.6×10?3时，介电常数ε??和ε??分别计算得下降约20%和40%。冲击压缩导致的剩余极化增强与介电性能降低，为提升铁电脉冲电源功率输出能力提供了有效途径。
关键词： 相变、无铅铁电晶体、铁电性能、介电性能、冲击压缩
更新于2025-09-09 09:28:46
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镧/锰共掺杂钛酸钡陶瓷的介电性能
摘要： 研究了不同La?O?含量（0.3至1.0 at% La）的La/Mn共掺杂BaTiO?陶瓷的微观结构和介电性能。所有样品中MnO?含量固定为0.01 at% Mn。通过改进Pechini法制备La/Mn共掺杂及未掺杂BaTiO?，并在1300℃空气中烧结两小时。掺杂0.3 at% La的样品呈现均匀完全细晶粒结构，平均晶粒尺寸0.5-1.5μm；高掺杂样品除细晶基体外还出现局部二次异常晶粒区。介电性能随频率和温度变化：掺杂BaTiO?介电常数范围3945-12846且随添加剂含量增加而降低，0.3 at% La掺杂样品在室温（ε?=12846）和居里温度（ε?=17738）测得最高值，损耗因子0.07-0.62。采用居里-外斯定律及修正公式计算得出：1.0 at% La掺杂样品具有最高居里常数（C=3.27×10? K），γ值范围1.04-1.5表明铁电-顺电相变陡峭。
关键词： 介电性能，钛酸钡，陶瓷
更新于2025-09-09 09:28:46
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镍/碳掺杂钛酸锶钡薄膜的微观结构、光学及电学特性
摘要： 本研究探讨了碳和镍共掺杂对钛酸锶钡（BST）微结构、光学及电学性能的影响。通过溶胶-凝胶法制备了六种不同组分的BST薄膜((Ba0.6Sr0.4)(NixCyTi1-x-y)O3)：x = y = 0.00（BST）、x = 0.04 y = 0.00（BST4N）、x = 0.04 y = 0.01（BST4N-1C）、x = 0.04 y = 0.02（BST4N-2C）、x = 0.04 y = 0.03（BST4N-3C）和x = y = 0.04（BST4N-4C）。采用TGA/DSC、XRD、FT-IR和FE-SEM分析了薄膜的结构特征和化学键，通过阻抗谱和紫外-可见光谱研究了其电学与光学性能。结果表明：镍和碳的掺杂分别导致Ti4+-Ni2+和Ti4+-C4+离子取代，使带隙能从BST的3.15 eV逐步提升至BST4N（3.44 eV）、BST4N-1C（3.5 eV）、BST4N-2C（3.66 eV）、BST4N-3C（3.73 eV）和BST4N-4C（3.76 eV）；同时介电损耗显著降低，从BST的0.055分别降至BST4N（0.031）、BST4N-1C（0.033）、BST4N-2C（0.03）、BST4N-3C（0.022）和BST4N-4C（0.01）。品质因数Qf（1/tanδ）则从BST的15大幅提高至BST4N（32）、BST4N-1C（30）、BST4N-2C（33）、BST4N-3C（44）和BST4N-4C（87）。此外，电容频率依赖性较未掺杂BST明显减弱。在所有薄膜中，BST4N-4C具有最优品质因数（FOM）、最低介电损耗和极弱的频率依赖性，是可调谐器件应用的最佳候选材料。
关键词： 离子掺杂、溶胶-凝胶法、薄膜、钛酸锶钡、介电性能、光学性能
更新于2025-09-09 09:28:46