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oe1(光电查) - 科学论文

10 条数据
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  • 钴掺杂诱导的SiC纳米线强电磁波吸收

    摘要： 理解掺杂体系中的电子结构-性能关系是设计功能材料的前提。我们通过简便的碳热还原法制备了不同钴含量的掺钴SiC纳米线。通过微结构、电子结构和电磁（EM）参数表征，揭示了钴掺杂对增强电磁波吸收能力的影响。微结构分析和密度泛函理论计算证实，掺杂钴物种抑制了层错和点缺陷的形成，并提高了掺钴SiC纳米线的导电性，这表明导电性在增强介电损耗中起主导作用。钴掺杂还赋予掺钴SiC纳米线显著的室温铁磁性，从而增强了磁损耗和阻抗匹配。SiC纳米线与钴掺杂剂之间诱导的协同效应使掺钴SiC纳米线具有强大的电磁波吸收能力。掺钴SiC纳米线的最小反射损耗达到-50 dB，有效吸收带宽为4.0 GHz，样品厚度仅为1.5 mm。因此，掺钴SiC纳米线可作为高效的电磁波吸收材料。本研究还为设计高性能电磁波吸收器提供了指导。

    关键词： 介电损耗、掺杂、密度泛函理论计算、电磁波吸收、磁性能

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 具有低介电损耗和高阻抗匹配比的新型三维SiC/三聚氰胺衍生碳泡沫增强SiO?气凝胶复合材料

    摘要： 通过商业三聚氰胺泡沫的热解过程、超薄碳化硅薄膜的化学气相沉积以及二氧化硅气凝胶的溶胶-凝胶法，首次制备出由二氧化硅气凝胶填充的新型三维碳化硅/三聚氰胺衍生碳泡沫复合材料（SiC/MDCF?Aerogel）。结果表明，该复合材料由三维开孔碳化硅网络结构与孔隙中富集的二氧化硅气凝胶构成。骨架与团聚体界面处因老化过程产生的微裂纹显著提升了微波吸收性能。当吸收体厚度为3.65毫米时，在16.92 GHz测试频率下可获得低至-18.41 dB的最小反射损耗；当厚度介于2.75至5.0毫米范围时，选定频率区间15.80-17.52 GHz内的反射损耗可降至-10 dB以下，展现出优异的高频微波吸收特性。研究还详细分析了介电损耗与阻抗匹配比对SiC/MDCF?Aerogel微波吸收性能的影响机制，为吸波材料评估提供了科学依据。

    关键词： 最小反射损耗、微小裂纹、微波吸收性能、阻抗匹配比、介电损耗、SiC/MDCF?气凝胶

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 三元(1?x)(0.8BiFeO3-0.2BaTiO3)-xK0.5Na0.5NbO3 (0?≤?x?≤?0.5)固溶体的结构与多铁性

    摘要： 通过固相反应法成功合成了三元(1?x)(0.8BiFeO3-0.2BaTiO3)-xK0.5Na0.5NbO3 (0 ≤ x ≤ 0.5)固溶体。X射线衍射与Rietveld精修研究表明：随着x值增大，体系从菱方/四方共存相转变为单一四方相。平均晶粒尺寸先减小后增大，而剩余磁化强度呈相反变化趋势并在x=0.3时达到最大值~2.09 emu/g。由于结构畸变和缺陷减少，x=0.3时出现增强的剩余极化强度~8.6 μC/cm2。此外，当x=0.5时剩余极化和相对介电常数分别达到最大值~20.14 μC/cm2 (10 Hz)和~644 (1 kHz)，对应介电损耗降至最低值~0.022 (1 kHz)。这些结果表明：通过调节K0.5Na0.5NbO3含量可调控三元BFO-BTO-KNN固溶体的性能以适应不同应用需求。

    关键词： 微观结构、介电损耗、相变、多铁性

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 通过低填充量Ag@SiO?核壳纳米颗粒提升多孔硅基介电弹性体复合材料的性能

    摘要： 在本研究中，通过同步向聚二甲基硅氧烷（PDMS）薄膜中引入微孔结构和低填充量的Ag@SiO2纳米颗粒（NPs），制备出多孔介电弹性体复合材料。研究考察了该复合材料的形貌、介电性能和力学性能。所得复合材料具有高介电常数、低介电损耗和低杨氏模量，符合介电弹性体驱动器的要求。本研究为制备填充低含量Ag@SiO2 NPs的高性能PDMS基多孔介电弹性体复合材料提供了有效方法。

    关键词： 核壳颗粒、介电损耗、杨氏模量、介电常数、弹性体、多孔材料

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 探索氧化锌-金属卤化物基钙钛矿纳米结构中的载流子动力学：实现介电损耗降低与光电流提升

    摘要： 基于金属卤化物的钙钛矿材料通过调控纳米结构来优化光学/电学性能，展现出优异的光电应用潜力。本研究报道了将ZnO（~6 nm）引入CsPbBr3（CPB）钙钛矿框架构建复合纳米结构的方法，该体系因高效的界面电荷分离和降低的介电损耗而显著提升了光电流。我们通过稳态/瞬态荧光光谱系统研究了CsPbBr3/ZnO纳米复合结构的电荷转移动力学，采用飞秒瞬态吸收和宽频介电谱技术揭示了载流子弛豫与转移机制。氧化还原能级图表明：导带（CB）中的光激发电子因热力学可行性可转移至ZnO纳米颗粒的导带。超快研究表明电子在约500飞秒内从钙钛矿纳米结构转移至ZnO纳米颗粒，界面处的有效电荷分离与电荷积累抑制了复合过程。介电研究也证实复合纳米结构通过界面电荷积累实现了高效电荷分离，降低了电荷泄漏。总体而言，这种兼具高效电荷转移、缓慢载流子复合及低介电损耗特性的CsPbBr3/ZnO纳米复合结构，其光电流性能得到显著改善，完全符合光电器件的应用需求。

    关键词： 氧化锌、电荷转移动力学、光电器件应用、介电损耗、光电流、金属卤化物钙钛矿、溴化铯铅

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 用于毫米波应用的充气基板集成波导馈电磁电偶极子天线阵列

    摘要： 本文提出了一种工作于28 GHz频段、具有改进辐射效率的基片集成磁电（ME）偶极子天线阵列。通过利用低成本印刷电路板（PCB）工艺，设计并实现了一种新型低损耗全共面空气填充基片集成波导（SIW）馈电网络。与以往多数由2×2子阵构成的毫米波平面阵列不同，本研究采用尺寸更大的2×4 SIW馈电子阵来简化阵列馈电网络主体部分的构型——这对成功实现空气填充SIW馈电网络至关重要。制作并测量了四层结构的8×8阵列原型以验证设计：该阵列具有25.9%的阻抗带宽、最高26 dBi的增益以及工作频带内稳定的辐射方向图。得益于馈电网络中不存在显著介质损耗的特性，还实现了80%的高天线效率。本设计方案为提升大尺寸基片集成阵列（这类阵列在毫米波无线应用中极具吸引力）的可实现增益与效率特性提供了有效方法。

    关键词： 馈电网络，天线阵列，孔径耦合磁电（ME）偶极子天线，介电损耗，毫米波，充气基片集成波导（SIW）

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 在空心CuS分级微球上直接生长聚吡咯气凝胶，制得具有优异电磁波性能的颗粒

    摘要： 聚合物科学领域当前的一个热门话题是开发具有理想性能（即适当阻抗匹配和强衰减能力）的电磁波吸收材料，但这带来了相当大的挑战。本工作采用溶剂热法和自组装聚合技术，可控制备了包覆于中空硫化铜分级微球表面的均匀聚吡咯（PPy）气凝胶（CuS@PPy）。通过调节硫化铜与吡咯单体的投料质量比，可调控该异质结构的PPy涂层厚度。评估表明CuS@PPy复合材料在2-18 GHz频段具有电磁波吸收性能：当添加35 mg硫化铜制得的样品B在2.5 mm厚度时展现出最大反射损耗（RL）-52.85 dB，并实现了9.78至17.80 GHz（8.02 GHz带宽）的超宽有效吸收带（RL≤-10 dB）。电磁性能分析显示，相较于纯硫化铜片状球体和纯PPy，CuS@PPy因界面强介电极化作用显著提升了相对复介电常数并促进介电损耗。我们认为所制备的CuS@PPy可为轻质宽带吸波材料的优化制备提供重要参考。

    关键词： 核壳结构、介电损耗、电磁吸收、聚吡咯

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 聚偏氟乙烯/等离子体处理的钛酸钡纳米复合材料，具有增强的电活性相

    摘要： 通过非热等离子体技术，成功将具有功能的C=O和C-O基团固定到高介电常数材料钛酸钡（BaTiO3）表面。这些官能团与聚偏氟乙烯（PVDF）中的CH2或CF2基团之间存在强偶极相互作用，一方面增强了PVDF/BaTiO3纳米复合材料的电活性γ相；另一方面提高了BaTiO3在PVDF基体中的分散性。与未处理的样品相比，PVDF/等离子体处理BaTiO3纳米复合材料中观察到更小的球晶尺寸和更好的亲水性。因此，PVDF/等离子体处理BaTiO3纳米颗粒比PVDF/BaTiO3纳米颗粒表现出更高的介电常数和更低的介电损耗。

    关键词： 等离子体处理的钛酸钡纳米复合材料、介电常数、电活性γ相、介电损耗、聚偏氟乙烯（PVDF）

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • (Se80Te20)100?xZnx (2?≤?x?≤?6) 硫系合金的电子输运特性

    摘要： 采用熔体淬火技术制备了块状硫族化合物(Se80Te20)100-xZnx (2≤x≤6)合金，并在50 Hz–500 KHz频率范围和400-520 K温度范围内研究了其电子输运特性。X射线衍射图谱中观察到的尖锐峰表明所制备的组分具有多晶特性。测量的介电性能和交流电导率揭示了锌掺杂对Se-Te基体性质的显著影响。交流电导率遵循Jonscher幂律，约为ω^s (s<1)。为描述导电机制，实验结果在各种理论模型框架下进行了分析。相关势垒跳跃(CBH)模型成功描述了交流电导率的频率、温度和组分响应的观测结果。

    关键词： 交流电导率、电子输运特性、硫系合金、介电常数、介电损耗、X射线衍射

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • [2018年IEEE第二届电介质国际会议（ICD）- 布达佩斯（2018.7.1-2018.7.5）] 2018年IEEE第二届电介质国际会议（ICD）- 新型低介电损耗聚酰亚胺薄膜：合成与高频电性能

    摘要： 由于聚苯硫醚（PPS）在高频下具有极低的介电损耗，向聚（N,N'-二苯氧基苯基均苯四甲酰亚胺）（PMDA-ODA）中引入了硫醚结构。通过热亚胺化反应合成了一种含60%硫醚的新型聚酰亚胺薄膜。研究了这些聚酰亚胺薄膜的形貌、热性能、介电特性以及高频表面放电寿命等性能。该薄膜表现出良好的热稳定性，在800℃分解温度下质量损失小于50%。含苯硫醚的聚酰亚胺薄膜在高频高压表面放电作用下显示出更低的介电损耗角正切和更长的使用寿命。这种新型聚酰亚胺更适合用于高频功率电子器件的绝缘应用。

    关键词： 寿命、高频、聚酰亚胺、苯硫醚、介电损耗

    更新于2025-09-09 09:28:46