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oe1(光电查) - 科学论文

11 条数据
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  • 图像传感器的功率效率优值

    摘要： 基于理论建立了一种新的优值指标（FoM），该指标仅需通过像素阵列尺寸、帧率和总功耗即可比较不同图像传感器的功率效率。研究提供了该优值指标的数学基础，使其能够适用于支持多种读出配置的通用图像传感器。该模型假设构建?？榈墓挠牍ぷ髌德手浯嬖诜窍咝怨叵?，并基于图像传感器的解析建模数值推导出该非线性因子。将该优值指标应用于1999至2018年的研究成果，既明确了技术改进趋势，也直观展现了发展历程中的若干突破性进展。

    关键词： 建模、CMOS图像传感器（CIS）、能效、优值系数（FoM）、功耗

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 采用反馈多路变压器的低相位噪声8.22 GHz氮化镓高电子迁移率晶体管振荡器

    摘要： 本文在WIN 0.25微米GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺中设计了一款低相位噪声的8.22 GHz GaN HEMT振荡器。该振荡器采用带变压器反馈网络的HEMT放大器，其中变压器使用三路次级电感与单路初级电感结构。该GaN振荡器功耗为4.328 mW，在8.22 GHz频率产生输出功率-11.35 dBm的信号。在距8.22 GHz载波1 MHz频偏处，相位噪声达到-120.82 dBc/Hz，所提振荡器的优值为-192.76 dBc/Hz。振荡器芯片面积为2×1平方毫米。

    关键词： 相位噪声，三路径变压器，优值系数，Q因子，8.22 GHz氮化镓高电子迁移率晶体管振荡器

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 为获得高输出功率的各类压电式能量收集器确定合适的压电材料

    摘要： 对于一类压电能量收集器（PEH），其应力产生于压电材料的支撑系统中，压电材料的机电耦合系数（kij）对共振频率下的输出功率至关重要。因此，软性压电材料是这类PEH的理想选择。对于二类PEH，其应力同时产生于压电材料和支撑系统，共振频率下输出功率的品质因数（FOM）为(kij2×Qm)/s11E，其中Qm和s11E分别代表压电材料的机械品质因数和弹性柔顺常数。特别值得注意的是，Qm对这些PEH的影响极大，表明硬性压电材料是适用于共振频率工作的二类PEH的理想选择。对于在非共振频率下工作的一类和二类PEH，kij2×dij×gij是其输出功率的品质因数，其中gij为压电电压常数。因此，软性压电材料同样也是适用于非共振频率工作的一类和二类PEH的理想选择。

    关键词： PEH（压电能量收集器），压电材料，优值系数（FOM），kij（压电常数），Qm（机械品质因数）

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 通过温和反应条件下的碘化法实现γ-CuI薄膜透光率与电阻率的同步优化

    摘要： 通过碘蒸气对铜层进行碘化反应合成的p型γ-CuI薄膜通常呈现磨砂玻璃状粗糙表面，这使其难以应用于透明电子器件。本文提出一种制备高透明p型γ-CuI薄膜的创新方法：在室温至120°C温度范围内，通过铜薄膜与碘蒸气的化学反应结合逐层工艺，可获得高透明多晶γ-CuI薄膜。该方法制备的γ-CuI薄膜均方根粗糙度值（8.5-21.2纳米）小于传统方法合成的薄膜。γ-CuI薄膜的微观结构和光电性能对碘蒸气温度敏感——当碘蒸气温度为80°C时获得的薄膜兼具80%高透射率、5×10?2 Ω·cm低电阻率和8.7 cm2/V·s高迁移率；同时实现的低电阻率与高透明度使品质因数显著提升，其数值从约488跃升至约1630 MΩ?1。

    关键词： 优值系数、低电阻率、高透射率、逐层法

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • [IEEE 2018年第三届物联网国际会议：智能创新与应用(IoT-SIU) - 印度巴姆塔尔(2018.2.23-2018.2.24)] 2018年第三届物联网国际会议：智能创新与应用(IoT-SIU) - 基于InGaAs/InP的100V横向沟槽功率MOSFET

    摘要： 本文提出了一种基于高迁移率InGaAs材料上的横向沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（LT-MOSFET）。该LT-MOSFET采用沟槽技术设计，其栅电极垂直置于p体区左端沟槽内。漂移区的沟槽引入了RESURF效应以降低电场强度并提升器件击穿电压。通过二维数值模拟显示，在相同单元间距和栅极长度条件下，相较于传统横向MOSFET（CLMOSFET），该LT-MOSFET的击穿电压提高了2.4倍，优值系数提升了3.3倍。

    关键词： 优值系数、击穿电压、横向沟槽、铟镓砷

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 混合钙钛矿CH3CH2NH3GeI3的结构、电子、光学、热电及热力学性质的计算机模拟：一种新兴的光伏电池材料

    摘要： 由于具有高功率转换效率和低成本的特点，甲基铵铅基卤化物（即CH3NH3PbI3）钙钛矿已成为光电器件开发中的创新候选材料。然而，这些材料中的有毒铅元素是其商业化的主要障碍。因此，迫切需要用合适的元素替代铅?；谝绎У奈耷旌下被锔祁芽罂赡苁蔷哂惺实贝丁⒏呶榷ㄐ院臀薅咎匦缘墓夥?PV)吸收材料替代品。本文采用WIEN2k程序中基于密度泛函理论(DFT)的全势增广平面波(FP-LAPW)方法，研究了乙铵锗碘化物(CH3CH2NH3GeI3或EAGeI3)的结构、电子、光学、热电和热力学性质。研究发现EAGeI3具有1.3 eV的直接带隙和超过104 cm-1的高吸收系数，表明其适合作为光伏吸收材料。我们还计算了热电系数随载流子浓度、化学势和温度的变化关系。热力学计算是在准谐近似下进行的。由于这是首次针对光伏应用研究EAGeI3，本研究可能为寻找无毒环保光伏材料的更深入实验和理论研究开辟新途径。

    关键词： 吸收系数，塞贝克系数，乙铵基混合钙钛矿，优值系数，带隙

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • [2020年IEEE无线电与无线研讨会（RWS）- 美国德克萨斯州圣安东尼奥（2020.1.26-2020.1.29）] 2020年IEEE无线电与无线研讨会（RWS）- 基于硅的皮秒脉冲源太赫兹信道特性研究

    摘要： 本文提出利用多振荡器耦合思想，将体硅CMOS工艺中的相位噪声（PN）降至当前实际可实现极限以下。我们首次据此研制出符合蜂窝基站接收机最严苛PN要求且遵循工艺可靠性规则的射频振荡器。该数字65纳米CMOS双核LC谐振振荡器采用高摆幅C类拓扑结构，工作频率4.07-4.91GHz可调，2.15V电源供电电流39-59mA。实测显示在4.07GHz载波下，3MHz和20MHz频偏处的相位噪声分别为-146.7dBc/Hz和-163.1dBc/Hz，创下集成CMOS振荡器最低归一化PN纪录。我们推导并验证了PN与核间互连电阻的显式表达式，其结果与电路仿真及实测数据相符。分析表明即使存在1%的核间失配，互连电阻的影响仍可忽略。该方法可扩展至更多振荡器核心，在牺牲功耗与面积代价下实现任意程度的PN降低。

    关键词： LC谐振回路、优值系数（FoM）、相位噪声、C类振荡器、基站（BTS）、耦合振荡器

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 面向5G毫米波车联网eV2X服务的区域集中式内容分发

    摘要： 本文提出一种耦合多个振荡器的思路，将体硅CMOS工艺中的相位噪声（PN）降低至当前实际可实现极限以下?；诟盟悸罚颐鞘状窝兄瞥龇戏湮鸦窘邮栈钛峡料辔辉肷?、同时遵守工艺技术可靠性规则的射频振荡器。该振荡器采用数字65纳米CMOS工艺实现，是基于高摆幅C类拓扑的双核LC谐振振荡器，在4.07-4.91 GHz范围内可调谐，工作电压2.15V时功耗39-59mA。实测显示在4.07GHz载波下，3MHz和20MHz频偏处的相位噪声分别为-146.7 dBc/Hz和-163.1 dBc/Hz，创下集成CMOS振荡器最低归一化相位噪声纪录。我们推导并验证了相位噪声与核间互连电阻的直接计算公式，其结果与电路仿真及实测数据相符。分析表明即使存在1%的核间失配，互连电阻对性能影响仍不显著。该方法可扩展至更多振荡器核心，在牺牲功耗与面积代价下实现任意程度的相位噪声降低。

    关键词： LC谐振回路、基站（BTS）、相位噪声、优值系数（FoM）、丙类振荡器、耦合振荡器

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 零损耗的追求：等离子体激元的非常规材料

    摘要： 人们一直在不断探索优化用于构建等离激元器件的材料：最初研究的是单质元素，随后是合金和金属间化合物，后来又考虑了半导体材料，而最近则对拓扑绝缘体和导电氧化物等更为新奇的材料产生了兴趣。这些材料中等离激元共振的质量与其结构和特性密切相关。一般来说，金和银是这类应用中最常指定的材料，但它们确实存在弱点。本文展示了在特定情况下，选择某些其他材料可能更有用。候选替代材料包括TiN、VO?、铝、铜、掺铝氧化锌以及铜铝合金。文中讨论了这些选择的相对优势以及由此产生的诸多陷阱和微妙问题，并对该领域提出了坦率的看法。

    关键词： 等离子体学、导电氧化物、拓扑绝缘体、金属间化合物、优值系数、材料选择

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 多层谷带收敛提升单层InSe的热电性能

    摘要： 我们从理论上研究了通过多能谷能量带收敛（其中部分独特能谷趋于近简并）提升单层InSe热电性能的可能性。这种能带收敛可通过施加机械应变实现。研究发现：在约1.16 GPa的双轴压应力作用下，价带（p型）和导带（n型）的能带收敛能使单层InSe的热电功率因子显著提升近3倍。但p型和n型InSe的优值系数ZT最大增强幅度因能谷收敛方式不同而存在差异——最优情况是重能谷趋近轻能谷的能带收敛，这既能提高功率因子，又可降低电子热导率。该最优条件在应变n型InSe中实现，其ZT增强幅度高达未应变样品的230%。相比之下，呈现相反能谷收敛方式（轻能谷汇入重能谷）的应变p型InSe，其ZT增强幅度仅为未应变样品的26%。

    关键词： 机械应变、热电性能、功率因子、优值系数、多谷能带、单层InSe

    更新于2025-09-10 09:29:36