标题
- 标题
- 摘要
- 关键词
- 实验方案
- 产品
中文（中国）
▾
-
采用束减速技术的极低能量（100电子伏特）电子束激发AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构发光
摘要： 我们开发了一套低束能阴极荧光（CL）系统。该系统由配备束减速（又称"减速"）工具的扫描电子显微镜和CL检测系统组成。利用该系统研究AlGaN/GaN基高电子迁移率晶体管结构时，即使在100电子伏特能量下仍观测到带边发射。经数秒等离子体辐照后，带边发射显著减弱。这种低束能阴极荧光技术对表面状态高度敏感，可用于器件制备中干法工艺的优化。
关键词： 高电子迁移率晶体管，低束能，氮化铝镓/氮化镓，束减速，阴极荧光
更新于2025-09-10 09:29:36