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中压电机驱动中碳化硅功率电子器件的区域制造成本结构与供应链考量
摘要： 随着宽带隙（WBG）半导体（特别是碳化硅SiC）技术的发展成熟，现已有必要深入理解其制造成本驱动因素、区域制造成本差异及工厂选址决策。此外，持续的研究与投资亟需分析性研究来指导宽带隙技术的发展方向。本文探讨了大规模量产预期下的器件、?？榧暗缁杀荆笔崂砹说鼻肮┯α吹那蚬毕渍?，并提出如何利用基础模型评估拟议研究进展的降本潜力。
关键词： 宽带隙、供应链、碳化硅、宽禁带、宽带隙、技术经济、WBG、自下而上、中压、电机驱动、宽禁带、分析、电力电子、成本模型
更新于2025-09-23 15:22:29