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[IEEE 2018 波动电子学及其在信息与电信系统中的应用会议(WECONF) - 俄罗斯圣彼得堡 (2018.11.26-2018.11.30)] 2018 波动电子学及其在信息与电信系统中的应用会议(WECONF) - 基于Si-Ge 130纳米技术Gilbert单元的0.4–10 GHz差分输出倍频器
摘要： 本文研究了基于吉尔伯特单元的本振信号频率宽带倍频方案。电路设计采用具有至少300GHz单位增益频率的异质结构双极晶体管。该方案解决了吉尔伯特单元工作模式中存在的电流臂间重新分配问题——随着本振信号频率升高，这种电流重分配会导致差分输出信号的幅度和相位特性出现显著失配。
关键词： 吉尔伯特单元、异质结构双极晶体管、平衡-不平衡转换器、倍频器
更新于2025-09-23 15:22:29
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基于表面势的双栅双层石墨烯场效应晶体管模型（包含电容效应）
摘要： 本研究提出了一种表面势建模方法，用于双栅极双层石墨烯场效应晶体管建模。通过考虑各层量子电容效应及层间电容，改进了GFET的等效电容网络?；诟玫刃У缛萃缃馕鋈范怂愕谋砻媸疲⒗帽砻媸仆ü?扩散输运机制建立了漏源电流的显式表达式。所开发模型的漏电流特性与转移特性与文献实验结果高度吻合。推导了本征石墨烯晶体管的小信号参数（输出电导gds、跨导gm、栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs），最终确定了该模型的截止频率。采用归一化均方根误差(NRMSE)指标与实验数据对比，显示NRMSE小于16%?；诟媚Ｐ涂⒘薞erilog-A代码，并在Cadence设计环境中利用此模型设计了单端倍频器。
关键词： 模型，场效应晶体管（FET），Verilog-A，石墨烯，表面电势，倍频器。
更新于2025-09-23 15:22:29
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基于石墨烯的太赫兹电磁成像系统用于艺术品分析
摘要： 本文提出了一种工作于140-220 GHz频段的石墨烯基电磁成像系统，用于对三维艺术品进行无损分析。发射模块采用单级高阶倍频器产生信号，接收模块则使用单级高阶次谐波混频器作为信号检测器。两个?？榫萌肷涞绱挪だ率┢姆窍咝韵煊?，分别产生输入信号的谐波分量和混频产物。发射与接收?？橥ü霾闹圃旃ひ帐迪帧Ｋ兄频牡绱懦上裣低吃陀τ糜谔沾善髅蠓治?，展现出检测封闭物体及获取截面信息的能力。此外，通过处理散射场的频率响应，还可获得几何参数和填充材料的特性表征。
关键词： 石墨烯、亚毫米波器件、立体光刻技术、倍频器、次谐波混频器
更新于2025-09-23 09:37:02
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[IEEE 2019年第44届国际红外、毫米波及太赫兹波会议(IRMMW-THz) - 法国巴黎(2019年9月1日-2019年9月6日)] 2019年第44届国际红外、毫米波及太赫兹波会议(IRMMW-THz) - 激光驱动半导体开关作为太赫兹波段的诊断方法
摘要： 我们对波导嵌入式倍频器阵列进行了全波大信号分析，采用有限元电磁建模求解完整几何结构，并在谐波平衡仿真中包含所有非线性元件。所采用的全三维模型精确呈现了阵列内的场分布，从而能够考虑基板谐振、高阶模式激励、不稳定性及二极管成品率等因素。该模型与247GHz固定调谐72二极管HBV三倍频器的实测数据进行了对比。本例中发现由于滤波器与二极管阵列的相互作用产生了高阶模式激励，这种现象仅能通过更精确预测输出功率随输入功率和频率变化关系的全三维模型观察到。最后，我们讨论了全三维模型与单元模型在波导嵌入式倍频器阵列应用中的优缺点。
关键词： 晶胞建模、变容二极管、高阶模、倍频器、空间功率合成、异质结势垒变容二极管
更新于2025-09-19 17:13:59
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[2019年IEEE第八届先进光电子学与激光国际会议(CAOL) - 保加利亚索佐波尔 (2019.9.6-2019.9.8)] 2019年IEEE第八届先进光电子学与激光国际会议(CAOL) - 激光增材制造过程中缺陷生成与大应变对微观结构演化耦合效应的相场模型表述
摘要： 本文介绍了一种高功率240-290 GHz波导封装二维栅格异质结势垒变容管（HBV）倍频器。在输入功率为900 mW时，该器件在247 GHz频率下产生了35 mW的输出功率。通过采用可调节二维栅格HBV倍频器输入匹配的输入调谐器，其工作带宽可在50 GHz范围内进行调谐。调谐是通过移动输入波导中的悬浮介质板实现的。
关键词： 二维网格、准光学、倍频器、阻抗匹配、调谐器、太赫兹源、变容二极管、异质结构势垒变容二极管（HBVs）
更新于2025-09-19 17:13:59
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[IEEE 2018年第15届欧洲雷达会议(EuRAD) - 西班牙马德里(2018.9.26-2018.9.28)] 2018年第15届欧洲雷达会议(EuRAD) - 一款输出功率30毫瓦的紧凑型室温510-560GHz三倍频器
摘要： 我们报道了一款紧凑型高功率510-560 GHz砷化镓肖特基二极管倍频器，其功率处理能力显著提升，在室温下以350-400 mW泵浦时测得峰值功率达30 mW的世界纪录。该性能较此前同频段报道的源器件提高十倍。通过采用改进的外延结构及片上功率合成拓扑（可将多个倍频结构集成于单芯片），实现了功率处理能力的提升。该芯片还展现出8-9%的先进转换效率（测试中未对夹具/过渡结构损耗进行修正）。
关键词： 肖特基二极管、倍频器、亚毫米波技术、太赫兹技术、亚毫米波源。
更新于2025-09-04 15:30:14
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[IEEE 2018年第15届欧洲雷达会议(EuRAD) - 西班牙马德里(2018年9月26日-2018年9月28日)] 2018年第15届欧洲雷达会议(EuRAD) - 基于倍频器的毫米波矢量信号产生外差系统
摘要： 本文提出了一种针对毫米波（mm-wave）频倍频器外差系统的补偿技术，该系统用于生成宽带矢量调制信号。该补偿技术利用多音调测试信号来检测系统失真，包括由于相位调制外差信号的带限导致的频倍频器不可避免的非线性，以及两个外差信号路径之间的增益和相位失配。为此，采用交错多音调调制信号来表征这些非理想特性，并合成一个无记忆预失真器和一个线性外差失配补偿滤波器以减轻其影响。随后，这些?？楸挥τ糜谏?5 GHz、调制带宽为80 MHz和160 MHz的数字调制信号，从而提高信号质量。
关键词： 倍频器、异相调制、多音信号、数字预失真、5G、毫米波
更新于2025-09-04 15:30:14
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[IEEE 2018年第15届欧洲雷达会议(EuRAD) - 西班牙马德里(2018年9月26日-28日)] 2018年第15届欧洲雷达会议(EuRAD) - 采用数字逻辑与直流负反馈的高杂散谐波抑制32-53GHz及50-106GHz倍频器
摘要： 我们展示了两种采用130纳米InP HBT工艺的倍频器。这些倍频器利用数字逻辑和直流负反馈来抑制不需要的谐波。低频倍频器的单端输出在32至53 GHz频率范围内具有-5 dBm的输出功率，一阶和三阶谐波抑制优于30 dBc。配备反馈回路的延迟控制电路使四阶谐波抑制优于18 dBc，功耗为0.94 W。高频倍频器在50至106 GHz输出频率范围内提供-5至-8 dBm的单端输出功率，一阶谐波抑制优于25 dBc，功耗为1.069 W。
关键词： 毫米波集成电路（MMICs）、倍频器、频率倍增器、毫米波集成电路、磷化铟异质结双极晶体管（InP HBT）
更新于2025-09-04 15:30:14
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[IEEE 2018年第15届欧洲雷达会议(EuRAD) - 西班牙马德里(2018年9月26日-2018年9月28日)] 2018年第15届欧洲雷达会议(EuRAD) - 基于离散肖特基二极管的270-320GHz高功率高效源
摘要： 本工作报道了一种基于离散肖特基二极管技术的300 GHz信号源。由ACST开发的高频部分包含两个高功率、高效率倍频器：一个工作在135-160 GHz频段，另一个工作在270-320 GHz频段。两个倍频器均采用单芯片?？樯杓疲椅词褂萌魏喂β屎铣杉际?。150 GHz和300 GHz倍频器分别可处理超过400 mW和100 mW的输入功率，并提供超过140 mW和30 mW的输出功率。这是该频段范围内基于离散肖特基二极管、且未采用功率合成技术的最强300 GHz信号源。
关键词： 肖特基二极管，高效，高功率，倍频器
更新于2025-09-04 15:30:14