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波导集成硅基锗p-i-n光电二极管对中子位移损伤的响应
摘要： 已研究了14 MeV中子位移损伤（DD）对硅光子学中波导集成锗硅p-i-n光电二极管（PD）的影响，中子注量最高达7.5×1012 n/cm2（14 MeV）或1.4×1013 n1-MeVeq/cm2（Si）。研究内容包括：150-375 K温度范围内的暗电流-电压特性测量、PD结电容测量、1260 nm至1360 nm波段的光谱响应测量以及频率响应测量。发现这些器件易受DD诱导的载流子移除效应影响；但在所研究的DD剂量水平下，其性能未出现显著退化仍可正常工作。由于PD测试芯片包含将光信号传输至PD的硅光子集成光栅耦合器和波导，因此也可推断DD对这些无源器件的影响。本研究未考察DD的短期退火或瞬态行为，仅关注室温退火初始阶段后残留的永久性损伤。
关键词： 位移损伤、光子学、辐射效应、中子辐射、光电二极管、光电子器件
更新于2025-09-12 10:27:22
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化学、分子科学与化学工程参考模块 || 有机-有机异质结构
摘要： 有机分子薄膜如今作为现代电子和光电器件（如有机发光器件、有机薄膜晶体管、有机传感器及有机光伏器件）中的活性组分具有重要技术价值。在最初引发普遍关注后，人们很快发现要使其性能媲美无机材料，就必须在薄膜生长过程中控制结构、结晶度和形貌，并理解和调控其分子电子特性。其中关键课题是界面形成——特别是作为接触界面的有机-金属界面。因此过去二十年间，金属表面有机分子生长及其能级排列（带对齐）问题得到了广泛研究。然而有机器件通常包含多个有机层，这意味着我们还需考虑有机-有机界面、其间的能级排列以及异质有机薄膜的形成机制。与大量关于金属基底上有机薄膜生长的研究相比，针对有机层上有机薄膜生长的可控表面科学研究文献相当匮乏。事实上，在研究有机异质结构形成时，研究者必须意识到若干挑战：与各向异性齐全的金属单晶基底不同，适合表面科学方法处理的大尺寸有机单晶极为稀缺，更遑论多向异性样品。最接近单晶状态的是由相同取向晶粒平铺基底表面构成的有机薄膜。通过精心选择无机基底和生长条件，可获得多种取向。第二个难点在于许多表面科学技术依赖电子束，因而厚膜特别容易产生充电效应和束流损伤。
关键词： 电子设备、光电子器件、薄膜、有机-金属界面、有机-有机异质结构、分子电子特性
更新于2025-09-09 09:28:46
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材料科学与工程参考?？?|| 六锗一硅（SixGe1-x）块体晶体
摘要： 锗硅（Ge???Si?）或硅锗（Si?Ge???）合金（其中x表示硅的摩尔分数）是一种具有金刚石立方结构的完全固溶半导体。两种元素的晶格参数相差4%，而该固溶体的晶格参数从纯锗的0.564纳米到纯硅的0.534纳米严格遵循维加德定律，其带隙则根据组分从锗的0.72电子伏特变化到硅的1.2电子伏特。锗硅合金因其在带隙和晶格参数调控方面的潜力，对微电子、光电子器件及各类功能材料都具有重要意义。图1展示了锗硅合金的相图，其固相线与液相线曲线间距较大。平衡分配系数k?=xs/xl（xs和xl分别为硅在固相线和液相线中的浓度）在富锗溶液中高达6，在各元素平均熔点温度时约为2.2。如此大的液固相线间距以及组成元素（如密度、晶格参数和熔点）物理性质的差异，使得锗硅合金的晶体生长极具挑战性。本文概述了其应用并综述了块体锗硅的生长，讨论了相关问题、残余缺陷、杂质与掺杂剂，同时涵盖了合金的结构特性。从凝固基础理论视角看，此类合金的研究也颇具价值。
关键词： 固溶半导体、晶体生长、微电子器件、光电子器件、锗硅合金
更新于2025-09-04 15:30:14