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基于二维SnS?纳米片的高效紫外光电探测器
摘要： 本文报道了一种基于SnS2纳米片的紫外光电探测器，该器件具有高灵敏度和高达120°C的热稳定性。采用简单且低成本的溶剂热法合成了近似六边形的SnS2纳米片。通过在SiO2/Si衬底上使用Ag作为接触材料，制备了简单的光电导体结构。所得器件具有良好的灵敏度（约400）、响应度（约5.5 A/W）、外量子效率（约1868%）、探测率（约1.72×1013 Jones）以及较短的响应时间（约2.2秒）。与许多利用复杂混合结构的紫外光电探测器相比，本器件的性能更优，无论是在附加滤光层还是纳米结构光敏材料方面。
关键词： 光电导体、紫外光探测器、二硫化锡纳米片、二维材料
更新于2025-09-23 15:21:01
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硫系化合物 || 铅盐光电探测器及其光电特性表征
摘要： 通过化学浴沉积法制备的铅盐光导体因其卓越的性价比、优异的室温性能（D*≈1×101?）以及大面积探测器制备能力，成为主流红外探测器。本文综述了铅盐探测器的发展历程，重点介绍了近年来的研究进展。首先概述了铅盐探测器的化学浴沉积制备技术，随后阐述了其基本特性表征方法。文中展示了经过宽温区采集并精确校正的PbS与PbSe探测器的光谱响应数据。
关键词： PbSe（硒化铅）、化学浴沉积、光电导体、铅盐光电探测器、PbS（硫化铅）、红外光谱范围
更新于2025-09-16 10:30:52
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压阻效应调制下In2Se3光电探测器响应度与响应速度的同步增强
摘要： 尽管基于二维（2D）半导体已实现超高单性能指标，但其光电探测器的综合性能尚不理想。需注意的是，响应速度与响应度是光电探测器的两个关键性能参数，而这两个指标往往相互制约，无法同步满足。本研究提出了一种可行策略：通过施加机械应变产生压阻效应，协同调控能带结构并提升整体光电探测性能，从而同时改善In?Se?基光电探测器的响应度与响应速度。通过研究应变调制下In?Se?光电探测器的光电特性发现，在200-1000 nm波长范围内，0.65%拉应变下的响应度平均提升约68.6%，而0.65%压应变下的响应度降低约57.3%。更重要的是，两种机械应变下In?Se?基光电探测器的响应速度均显著提升（分别从244 μs缩短至214 μs和180 μs）。应变工程可调控能带结构并增强半导体晶体的电学与光学特性，最终实现高性能光电探测器。本工作提出的提升探测器性能策略，为下一代光电器件的实际应用提供了可行路径。
关键词： 光电导体、机械应变、肖特基势垒、范德华力、压阻效应
更新于2025-09-11 14:15:04
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新型衍生物苯并噻唑悬浮二苯胺基芳香族聚酰胺作为电致变色发光器件
摘要： 本工作通过磷酸化缩聚技术，由几种芳香族二羧酸与合成的N,N-双(4-氨基苯基)-2-胺-6-甲氧基苯并噻唑(M)反应制备了一系列含(苯并噻唑)二苯胺结构单元的取代芳香族聚酰胺(P1-P5)?；衔颩是通过氟化铯介导的6-甲氧基苯并噻唑(a)与对氟硝基苯的双N-芳基化反应形成二硝基中间体(I)，再经钯催化肼还原制得。采用FTIR、1H和13C NMR光谱技术对所有中间体和聚酰胺的化学结构进行了表征。热分析表明，所合成聚酰胺具有优异的热稳定性和较高的玻璃化转变温度(Tg)。这些聚酰胺在N-甲基吡咯烷酮中的稀溶液(10-5 M)展现出良好的光学性能，在蓝光区域呈现强烈荧光发射。将合成聚合物膜成型于镀ITO玻璃基底上，在含有10-1 M高氯酸四丁基铵(TBAP)的干燥CH3CN特殊电解质中进行循环伏安测试，显示出一对氧化还原波峰。
关键词： 聚酰胺、光致发光、电致变色、光电导体
更新于2025-09-09 09:28:46