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oe1(光电查) - 科学论文

37 条数据
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  • 合成N掺杂石墨烯量子点与石墨烯修饰的Zn0.1Cd0.9S异质结构以增强紫外-可见光光电性能

    摘要： 本研究通过简单方法成功制备了基于Zn0·1Cd0·9S、氮掺杂石墨烯量子点(N-GQDs)和石墨烯的异质结构。通过多种分析手段确定了合成复合材料的结构、形貌及材料性能。结果表明：该Zn0·1Cd0·9S/N-GQDs/石墨烯异质结构展现出优异的光电性能，在365 nm和405 nm光照下分别产生4.43×10?5 A/cm2和3.43×10?5 A/cm2的高光电流值，较空白Zn0·1Cd0.9S材料实现了两倍的光电流增强。这一显著提升归因于N-GQDs作为光敏剂增强吸收能力，同时石墨烯作为载流子迁移基底促进光生电子-空穴对分离的协同机制。Zn0·1Cd0·9S、N-GQDs与石墨烯三者间的协同效应增强了光电性能，该异质结构为提升半导体在紫外-可见光下的光电性能提供了新途径。

    关键词： 石墨烯、氮掺杂石墨烯量子点、光电性能、Zn0.1Cd0.9S

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 氟代二噻吩并二吡咯并吡咯：有机光电子材料的新构建单元

    摘要： 二酮吡咯并吡咯（DPP）衍生物作为电子受体单元被广泛应用于有机电子学中构建给体-受体（D-A）共轭体系。DPP的3,6位取代芳香环会显著影响DPP基材料的光电性能。本研究采用逐步合成策略制备了单氟代和双氟代二噻吩基-DPP，并获得了双氟代模型化合物的单晶。合成了三种以联噻吩为给体、不同氟代位点的二噻吩基-DPP为受体的聚合物，初步探究了氟代位置对光电性能的影响。

    关键词： 二噻吩基-DPP，二酮吡咯并吡咯，光电性能，有机电子学，氟化

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 用于高探测率光电探测器的优质长取向CsPbBr?微棒单晶的成核控制生长

    摘要： 由于溴化铯铅（CsPbBr3）作为全无机钙钛矿家族最重要的成员之一，具有优异的光电性能和更高的稳定性，其应用受到了广泛关注。最近研究表明，与单晶和薄膜相比，CsPbBr3微棒和纳米线因其更高的结晶度、更少的缺陷以及更易实现沿特定方向的载流子传输控制，在光电探测器中更具优势。然而，目前缺乏足够研究来阐述如何控制CsPbBr3微棒和纳米线的生长，以保持其单晶的光电性能。因此，我们报道了通过简单的反溶剂法控制定向分散超长CsPbBr3微棒单晶（CsPbBr3 MSCs）生长的方法?？刂品稚⒊sPbBr3 MSCs生长的关键在于通过调节反溶剂甲醇的扩散速度来控制快速成核速率并减缓生长速率。我们还揭示了CsPbBr3 MSCs以二维晶核为起点的逐层生长机制。研究表明CsPbBr3 MSCs沿[010]方向生长，暴露(101)晶面。此外，基于单根CsPbBr3 MSC制备的光电探测器表现出高达3.67×10^12 Jones的探测率（D）和988的开/关比，显示出极强的光电响应。在施加电场激活后，Cs离子和Cs空位会沿[010]方向通过[101]晶面由[PbBr6]^4-构建的通道向正负电极迁移，该机制有助于增强光电响应而不降低器件稳定性。

    关键词： 反溶剂法、光电性能、微棒单晶、光电探测器、溴化铯铅

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 通过不同添加剂提升全无机钙钛矿在绿色发光二极管中的光电性能

    摘要： 全无机溴化铯铅(CsPbBr3)钙钛矿因其优异的光学和电学性能成为理想的新型光电子材料，但表面覆盖率低限制了其性能发挥。薄膜形貌特征对钙钛矿发光二极管性能影响显著，尤其在低覆盖率条件下，不均匀表面会导致电流泄漏。为解决这一问题，采用聚合物聚环氧乙烷(PEO)、有机绝缘体聚乙烯吡咯烷酮(PVP)与全无机钙钛矿构建复合层，是提升钙钛矿薄膜表面覆盖率和均匀性、改善发光器件性能的有效途径。本研究通过引入PEO与PVP双添加剂调控钙钛矿薄膜，最终获得亮度2353 cd m?2（7.2 V）、电流效率2.14 cd A?1（6.5 V）及外量子效率0.85%（6.5 V）的优化CsPbBr3–PEO–PVP发光二极管。该研究表明添加剂方法不仅是提升钙钛矿薄膜质量的关键，更是实现高性能钙钛矿LED的核心所在。

    关键词： PVP（聚乙烯吡咯烷酮）、全无机钙钛矿、PEO（聚环氧乙烷）、光电性能、发光二极管

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 采用低温水溶液法制备高透明导电铝掺杂氧化锌薄膜用于薄膜太阳能电池

    摘要： 在本研究中，我们开发了一种简便方法，通过水溶液工艺结合紫外光(UV)曝光技术，在低至200°C的退火温度下制备出高透明导电AZO薄膜（以柠檬酸铝络合物作为铝掺杂源）。系统研究了AZO薄膜制备过程中的多种沉积参数并进行优化，分析了UV曝光与热处理对薄膜导电性提升及导电稳定性影响的机理。结果表明：在最优参数条件下制备的AZO薄膜在可见光区域透光率超过85%，最低电阻率达4.8×10?3 Ω·cm，同时具有致密取向的柱状晶粒、均匀的表面形貌及成分分布。UV曝光能去除薄膜表面碳杂质，减少氧相关缺陷并释放晶界/界面自由载流子，从而提升导电性；而UV曝光与热处理的协同处理可更深层次清除碳杂质，进而增强导电稳定性。采用最优AZO薄膜作为顶电极的铜锌锡硫(CZTS)薄膜太阳能电池实现了7.15%的最佳光电转换效率(PCE)，该数值与采用磁控溅射AZO薄膜作为顶电极的器件效率相当。

    关键词： AZO薄膜，水溶液法，光电性能，紫外辐照，Cu2ZnSnS4薄膜太阳能电池

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 增强有机太阳能电池的电荷转移与光电特性

    摘要： 本工作主要通过分子理论模拟工程分析空间位阻对三种不同给体敏化剂（ZHG5、ZHG6和ZHG7）光电性能的影响。采用前沿分子轨道、全局反应性描述符、光学吸收特性、荧光寿命、电荷密度差及外电场影响等方法研究了光电物理与光电化学参数。结果表明，随着辅助给体空间位阻逐渐增大，喹喔啉类敏化剂性能逐渐恶化。揭示了cir-晕苯石墨烯量子点（GR）与三种染料杂化的光学特性，证实石墨烯量子点确实能改善太阳能电池的光学性能。此外，通过插入六种官能团设计了九种新分子，发现分子结构受体的-CN插入有利于提升敏化剂性能。

    关键词： 供体敏化剂、空间位阻、官能团、石墨烯量子点、光电性能、分子理论模拟

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 研究热退火对化学浴沉积SnO2/p-Si异质结太阳能电池光伏性能的影响

    摘要： 本研究考察了退火温度对化学浴沉积(CBD)法制备的SnO2薄膜光电性能的影响。为研究退火处理对SnO2/p-Si异质结太阳能电池性能的影响，将生长在p-Si衬底上的SnO2薄膜在氩气环境中分别于200°C和400°C退火10分钟。通过SEM研究证实了Si表面均匀SnO2薄膜的生长，并采用XRD和椭偏仪测量详细分析了原始薄膜与退火薄膜的化学成分及光学特性。在带隙(3.0 eV)处观测到样品吸收系数变化范围为24×105–60×105/m。暗态和光照条件下的电流-电压特性表明200°C退火SnO2薄膜具有更优异的光伏性能。原始样品与200°C退火样品的短路电流密度、开路电压和填充因子分别为0.45 mA/cm2、5.41 mA/cm2和0.4 V、0.34 V以及13%、8%。200°C退火样品获得了4.9%的最大功率转换效率(η)。研究表明CBD法制备的SnO2薄膜在光伏应用方面具有潜力。

    关键词： 光电性能、异质结太阳能电池、化学浴沉积、退火温度、二氧化锡薄膜

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 氮掺杂石墨烯量子点修饰的具有可调光电性能的ZnxCd1-xS半导体

    摘要： 本研究通过简便的溶剂热法合成了不同锌镉比的ZnxCd1-xS/N-GQDs复合材料。采用一系列技术手段探究了锌镉比及N-GQDs对材料性能的影响。结果表明：通过调节锌镉比可调控复合材料的晶体结构和光电性能。随着锌含量增加，ZnxCd1-xS/N-GQDs复合材料由六方结构转变为立方结构，其衍射峰位于六方相CdS与立方相ZnS之间。同时，光电流响应和电化学阻抗也呈现良好的可调性。其中锌镉比为0.9:0.1的Zn0.9Cd0.1S/N-GQDs复合材料具有更高的光电流值(约2.379 mA/cm2)和更低的界面阻抗，性能优于其他锌镉比组成的复合材料。此外，N-GQDs的引入显著提升了该半导体材料的光电性能。

    关键词： 复合材料、N-GQDs、光电性能、ZnxCd1-xS

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 硫氮共掺杂石墨烯量子点修饰的CdSe用于增强光电性能。

    摘要： 通过溶剂热法合成了硒化镉与硫氮共掺杂石墨烯量子点（CdSe/S,N-GQDs）纳米复合材料。结果表明：S,N-GQDs粒径约5纳米，平均高度0.5纳米，仅含1-2层石墨烯片层。CdSe/S,N-GQDs复合物呈现明显晶格条纹，层间距分别为0.24纳米和0.35纳米，对应S,N-GQDs的(1120)晶面与立方相CdSe的(111)晶面。在365纳米紫外光照射下测试光电性能显示：相较于纯CdSe和CdSe/GQDs，CdSe/S,N-GQDs复合物具有最大光电流密度4.286×10?? A/cm2，分别达到前两者的10.5倍和7.5倍。该光电流提升源于S,N-GQDs作为石墨烯纳米片段能提供更大比表面积并显著增加与CdSe的接触界面。此外，通过调节掺杂比例可优化光电性能——当掺杂比为1:1时，CdSe/S,N-GQDs展现出最佳光电特性。

    关键词： 石墨烯量子点、CdSe、光电性能、掺杂比例、共掺杂

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 通过添加碳量子点提高钙钛矿太阳能电池的功率转换效率

    摘要： 高质量钙钛矿薄膜是制造高性能器件的关键因素。本工作首次在碘化甲铵溶液中使用碳量子点（CQDs）作为添加剂来制备高质量CH3NH3PbI3薄膜。适当浓度的CQDs（0.04 mg ml-1）可钝化晶体缺陷、提高结晶度、增大晶粒尺寸并减少MAPbI3薄膜的晶界。多种表征结果表明，CQDs添加剂能降低陷阱态密度、减少载流子复合并提升光电性能。与原始器件相比，CQD修饰的MAPbI3器件平均光电转换效率（PCE）从15.8±0.37%提升至18.81±0.45%，最优器件的最高PCE从16.21%提升至19.17%。本研究提出了一种简便方法：通过在两步旋涂沉积法中使用CQD添加剂来制备稳定高效的倒置平面结构钙钛矿太阳能电池。

    关键词： 钙钛矿太阳能电池、添加剂工程、光电性能、功率转换效率、碳量子点

    更新于2025-09-11 14:15:04