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低温暗退火作为多晶硅中LeTID的预处理方法
摘要： 光照和高温诱导衰减（LeTID）目前是晶体硅光伏技术中的一个严重问题，这促使人们开展了大量工作来理解其机理并加以缓解。我们发现，在典型太阳能电池制备流程的最后一步进行低温暗退火会显著影响LeTID特性，包括衰减强度和衰减动力学。虽然在200-240°C温度范围内进行相对较短的退火可能因使衰减强度翻倍而对LeTID产生不利影响，但在300°C下进行的优化退火则呈现相反趋势，为消除LeTID提供了有效手段。此外，我们证明暗退火过程中金属沉淀与溶解的模拟复合活性与实验结果相关，这为LeTID机理提供了一种可能的解释。
关键词： PERC（钝化发射极和背面电池技术）、降水、多晶硅、少数载流子寿命、光致衰减（LeTID）、硅中的铜
更新于2025-09-23 15:23:52
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采用半桥谐振电路远程直接加热法实现PERC太阳能电池组件的抗光致衰减工艺
摘要： 随着太阳能电池行业中平准化度电成本（LCOE）的重要性日益凸显，对高效太阳能电池的需求正快速增长。目前行业内普遍采用p型钝化发射极背接触（PERC）太阳能电池，其效率约为22%-23%。研究表明p型太阳能电池存在光致衰减（LID）现象——在太阳辐射下发电时输出功率持续下降，且参考效率越高降幅越显著。当前市场需求旺盛的超高效太阳能电池因LID现象会产生显著输出衰减，因此亟需开发抑制该现象的技术。但现有模块生产过程中缺乏向封装材料内部太阳能电池传热的方法，导致该现象研究受限。本研究通过非接触式加热方式在不损伤电池组件封装层的前提下形成再生状态，采用基于感应磁场的加热方法实现：利用半桥谐振电路施加感应磁场，并通过调节线圈电流强度控制电池温度。为确认仅电池受热，采用红外相机分析组件内部温度分布；通过实时监测开路电压波形测定少数载流子寿命。最终基于实测开路电压数据，运用再生过程动态模拟技术分析了电池组件再生阶段产生的LID激活能。本研究成功将再生状态应用于组件层级LID现象防治，测定了电池组件的LID激活能，并据此开发出无损的电池组件衰减防护技术。
关键词： 太阳能组件、半桥谐振电路、光致衰减、太阳能电池、再生、远程加热
更新于2025-09-23 15:19:57
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2018年全印度光伏组件可靠性调查中观测到的现场衰减率分析
摘要： 本文介绍了《2018年全印度光伏组件可靠性调查》中观察到的采用c-Si技术的光伏组件性能退化分析。退化速率与组件使用年限、系统规模、安装配置及部署气候相关联。通过目视检测、红外成像和电致发光成像，识别出导致某些站点出现较高退化速率的关键故障模式。研究发现，电势诱导衰减是造成年轻站点高退化速率的主要机制。此外，在炎热气候和屋顶环境部署会加速组件退化。报告还针对历次全印度调查中已检测站点，呈现了多节点退化速率分析结果。
关键词： 电势诱导衰减（PID）、全印度调查、太阳能光伏（PV）、光致衰减（LID）、现场调查、硅、可靠性、衰减
更新于2025-09-12 10:27:22
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通过电致发光研究再生条件下Cz-Si太阳能电池中硼氧中心失活的直接检测
摘要： 我们研究了掺硼p型直拉法生长硅（Cz-Si）太阳能电池中硼氧缺陷的再生动力学，重点考察了再生条件（即高温140°C）下过剩载流子浓度Δn的影响。通过向暗态电池施加不同正向偏压（Vappl），并在电池再生过程中分时段直接测量其电致发光（EL）信号，我们能够针对每个施加电压直接测定再生过程中的Δn。除EL信号外，我们还测量了再生过程中流经电池的电流——该电流与电池整体复合速率成正比，因而能反映再生过程中体区复合特性的变化。基于测得的时变电池电流，我们确定了硼氧缺陷的失活速率常数Rde。实验结果明确显示：再生过程中Rde与Δn呈正比增长关系。
关键词： 硼氧缺陷、注入、再生、电致发光（EL）、载流子、钝化发射极和背面电池（PERCs）、直拉法生长硅、光致衰减（LID）
更新于2025-09-12 10:27:22
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钝化发射极和背面电池光伏组件在安装初期的输出功率行为：光致衰减的影响
摘要： 钝化发射极和背面电池（PERC）光伏组件的转换效率会因光致衰减（LID）而降低。本研究采用两款商用PERC光伏组件，在户外持续照射直至累计太阳辐照量达到687 kW m?2，以探究其安装初期的发电特性。其中一款组件的最大输出功率（Pmax）最终下降了1.52%，另一款则下降了4.29%。后者在经历LID后因开路条件下的光致再生效应使Pmax回升，但该组件并入电网阵列后的实际发电量未发生变化且未观测到恢复现象。研究表明，衰减程度与行为差异不仅取决于组件型号区别，还与照射期间的电路条件相关。? 2019 日本应用物理学会
关键词： 早期安装阶段、发电行为、光致衰减、钝化发射极和背面电池、光伏组件
更新于2025-09-11 14:15:04
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采用等离子体增强化学气相沉积层堆叠钝化的直拉硅寿命样品中的体相与表面相关退化
摘要： 在80-150°C光照处理过程中，直拉硅制成的寿命样品会先出现显著的体相关衰减（BRD），随后发生表面相关衰减（SRD）影响有效过剩载流子寿命。样品采用完全源自等离子体增强化学气相沉积的AlOx:H/SiOxNy:H/SiNx:H或SiOxNy:H/SiNx:H叠层进行钝化。不同钝化叠层和处理条件下，样品的BRD表现出显著差异，并讨论了其与光照和高温诱导衰减（LeTID）的潜在关联。所有样品均在带式炉中烧结，烧结温度和带速的变化对SRD有轻微影响。此外，随着处理温度升高，SRD加速，在SiOxNy:H/SiNx:H钝化样品中测得表观活化能Eapp=1.07±0.02 eV。但由于SRD过程中界面缺陷和固定电荷密度同时发生变化，该Eapp值的解释存在困难。
关键词： 光致衰减（LeTID）、表面相关衰减、光诱导衰减、直拉法（Czochralski）、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）
更新于2025-09-09 09:28:46
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黑硅对工业钝化发射极和背面电池中光致及高温诱导降解的影响
摘要： 光热诱导衰减（LeTID）目前是钝化发射极和背面电池（PERC）面临的一个严重问题。本研究探讨了表面织构（特别是黑硅（b-Si）纳米结构）对工业级p型多晶硅PERC中LeTID的影响。结果表明，在标准LeTID条件下，采用原子层沉积氧化铝（AlOx）正面钝化的b-Si电池未出现性能衰减，尽管其背面存在富氢的AlOx/SiNx钝化叠层。此外，正面采用氮化硅（SiNx）钝化的b-Si太阳能电池仅损失1.5%的初始光电转换效率，而酸性织构电池在相同条件下衰减近4%。相应地，酸性织构电池的内部量子效率（IQE）出现明显衰减（尤其在850-1100纳米波长范围），证实衰减发生在电池体内，而b-Si电池的IQE几乎不受影响?？占浞直婀庵路⒐猓≒L）图谱支持上述观察结果，清晰显示出b-Si与酸性织构电池（尤其是SiNx正面钝化情况下）的衰减行为差异。PL图谱还表明LeTID程度与织构表面积相关，而非近期报道的硅片厚度（尽管b-Si电池略薄，140微米对比165微米）。这些结果表明b-Si对LeTID具有积极影响，因此b-Si的优势不仅限于其公认的优异光学特性。
关键词： 钝化发射极和背面电池、多晶硅、光致衰减、黑硅、太阳能电池、光照及高温诱导衰减
更新于2025-09-04 15:30:14