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窄带有机与钙钛矿光电探测器的效率与光谱性能：一项横评研究
摘要： 在可穿戴电子设备、物联网、计算机视觉、人工视觉和生物传感等众多新兴应用领域中，对能在狭窄波长范围内检测可见光与近红外光的能力有着极高需求。有机与钙钛矿半导体因其具备一系列特性而特别适合窄带光电探测，这引发了学界对其该功能应用的日益关注，并推动近年来取得显著进展。本综述通过大量文献的对比分析，对这一快速发展的研究领域进行了最新评估。本文采用的横向研究方法重点聚焦于：(a)有机与钙钛矿材料在可见光及近红外波段实现窄带光电探测的共性原理；(b)材料、器件及制备策略与光电转换效率、光谱宽度相关的演变趋势。由此勾勒出有机与钙钛矿窄带光电探测的横断面图景，为该研究领域的现状与前景提供了全新见解。
关键词： 窄带有机光电探测器、窄带钙钛矿光电探测器、近红外光电探测器、色彩传感器、光谱选择性
更新于2025-09-23 15:19:57
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自供电无滤光片窄带p-n异质结光电探测器，用于低背景限制的近红外图像传感器应用
摘要： 具有窄光谱选择性的光子检测对于消除干扰光信号非常重要，这能提高红外成像系统的抗干扰能力。虽然p-n结固有的自驱动效应在光电集成中极具吸引力，但p-n结在窄带光电探测器中的应用通常受限于较宽的吸收范围。本工作报道了一种基于CuGaTe2/硅p-n结的自供电无滤光片窄带近红外光电探测器。所制备的光电探测器表现出典型的窄带响应，这可归因于硅的带隙略小于CuGaTe2，并通过优化CuGaTe2厚度限制了p-n异质结中的光电流产生区域。观察到当CuGaTe2薄膜厚度为143 nm时，器件在1050 nm处呈现响应峰，半高全宽约为118 nm。进一步器件分析显示，在零偏压下1064 nm光照时，其比探测率约为1012琼斯，响应度为114 mA/W。研究还发现，基于该窄带CuGaTe2/Si光电探测器的成像系统因其光谱选择性特性而显示出高抗噪性。
关键词： p-n异质结、近红外光、图像传感、光谱选择性、窄带光电探测器
更新于2025-09-23 15:19:57
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[IEEE 2018第四届IEEE新兴电子国际会议(ICEE) - 印度班加罗尔(2018.12.17-2018.12.19)] 2018第四届IEEE新兴电子国际会议(ICEE) - 利用苯酚功能化卟啉有机分子提升自供电氮化镓对称金属-半导体-金属紫外光电探测器性能
摘要： 有机分子单层膜已被用于提升各类电子器件结构的性能。本研究将有机分子表面修饰概念应用于改进氮化镓基对称金属-半导体-金属（MSM）紫外（UV）光电探测器的性能与自供电质量。通过将酚功能化金属卟啉（Zn-TPPOH）有机分子吸附于氮化镓外延层，制备出Ni/Zn-TPPOH/GaN/Zn-TPPOH/Ni光电探测器结构。该工艺使器件在0V反向偏压下的暗电流较Ni/GaN/Ni MSM探测器降低约1万倍。光电参数方面，Ni/Zn-TPPOH/GaN/Zn-TPPOH/Ni结构在0V电压下光暗电流比从8.8提升至2.4×10?，响应度从0.004 A/W增至0.038 A/W（对比Ni/GaN/Ni结构）。此外，分子修饰器件在0V电压下的光谱选择性显著改善，相比裸氮化镓器件在紫外波段响应增强而在可见光波段响应减弱。
关键词： PDCR、响应度、光谱选择性
更新于2025-09-16 10:30:52
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纳米整流天线对可见光激光的频谱选择性等离子体热电子响应
摘要： 具有新颖可见光与红外（vis/IR）功能的活性超表面代表着一个令人振奋且不断发展的研究领域。对可见光/红外频率进行整流可产生所需的直流电（DC），且不存在固有频率限制（例如无需半导体带隙）。然而，由于需要同时实现微小特征结构与可扩展平台上的大规模制备，控制（纳米）整流天线材料及其对数百太赫兹至可见光波段频率的整流功能仍是一项艰巨挑战。由垂直整流二极管顶部平面纳米天线阵列构成的活性超表面——即"纳米整流天线阵列"或"微型整流天线阵列"，能够对红外波段极高频率乃至可见光波段更高频率进行整流。我们采用金纳米线可扩展图案化的创新策略构建光学纳米整流天线阵列，为光学天线特有的光谱选择性高频整流提供了确凿证据。研究发现了一种此前未报道的非平衡电子能量分布现象，即光学天线中等离子体共振吸收产生的具有等效温度特征的"热电子"，并揭示该效应如何显著影响观测到的整流效果。
关键词： 纳米整流天线、光谱选择性、热电子、等离子体、可见光激光器
更新于2025-09-12 10:27:22