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PECVD氟聚合物纳米薄膜的稳定性与降解
摘要： 含氟聚合物薄膜常用于微加工领域，并在各类应用中制备疏水性和低介电常数介质层。随着功能涂层可靠性成为工业界日益紧迫的问题，有必要确定这类重要薄膜的物理稳定性和降解特性。为此，本研究针对含氟聚合物薄膜在使用过程中可能经历的各种环境条件，开展了其老化特性的研究。特别地，采用八氟环丁烷（c-C4F8）作为前驱体气体、通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）法制备的碳氟薄膜，分别经受了磨粒磨损、高温、紫外线辐射，以及氧等离子体和SF6等离子体的作用——后者常与这些薄膜配合用于离子刻蚀工艺。结果表明：亚微米级厚度的含氟聚合物薄膜在纳米划痕测试中表现出显著的弹性恢复能力，从而有效减轻了磨损影响；该薄膜在空气中暴露于365纳米紫外光时保持稳定，但在254纳米紫外光下会出现显著厚度减薄；当温度升至175°C时未发生材料损耗，但超过此温度则会导致损耗；同时测量了其在氧等离子体和SF6等离子体环境中的刻蚀速率。
关键词： 八氟环丁烷，等离子体沉积，原子力显微镜，磨损，椭圆偏振法
更新于2025-09-23 15:23:52
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常压下八氟环丁烷等离子体射流对硅刻蚀的气体效应研究
摘要： 采用电容耦合射频双管等离子体放电射流进行刻蚀工艺。通过常压等离子体源通入氩气载气，八氟环丁烷（C4F8）刻蚀气体注入等离子体中。在晶体硅衬底上进行刻蚀实验，分析了刻蚀特性，刻蚀速率变化趋势显示其对C4F8气体流量和氧气的添加存在依赖性。当等离子体功率为100 W、C4F8气体流量为250 sccm时，获得最佳刻蚀速率7.2 μm/min。表面形貌检测显示了该常压等离子体射流处理下的刻蚀形貌。该等离子体技术可为无腔室干法刻蚀工艺带来突破。
关键词： 等离子体刻蚀，大气压等离子体，八氟环丁烷，晶体硅
更新于2025-09-04 15:30:14