CuGaO?/ZnO六方片状复合材料的溶剂热合成及光催化性能

摘要： 作为p型半导体，铜铁矿结构CuGaO2因其高能端的直接跃迁被归类为宽禁带半导体。传统合成方法包括固相反应和溶胶-凝胶法，但二者均需高温条件，且溶胶-凝胶法还需氮气环境。本研究采用水热法合成了六方片状CuGaO2，并适用于制备CuGaO2/ZnO复合材料。结果表明，片状CuGaO2颗粒表面可与n型ZnO半导体构建复合材料。本文还报道了六方片状CuGaO2及CuGaO2/ZnO复合材料的光学带隙能量与光催化性能。