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采用双侧渐变电子阻挡层抑制AlGaN基深紫外LED的效率衰减。
摘要： 我们设计并构想了一种基于III族氮化物的新型深紫外发光二极管（DUV LED），通过在电子阻挡层（EBL）采用双侧渐变结构，在较高电流密度下实现了合理的高效率。EBL的双侧阶梯式与线性渐变结构因改善了空穴注入、抑制了电子溢出并降低了有源区的静电场，从而展现出更优性能。性能曲线表明，相较于传统LED，EBL双侧线性渐变结构使功率提升了5.63倍，且在200 A/cm2电流密度下（发射波长约273 nm时），效率衰减低至15%。
关键词： 双面组分渐变、电子阻挡层（EBL）、内量子效率（IQE）、深紫外（DUV）发光二极管
更新于2025-09-19 17:13:59
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深紫外发光二极管量子阱中性能与组分梯度的相关性
摘要： 为研究其对器件电学和光学性能的影响，我们深入探究了一种量子阱（QW）中铝含量呈线性渐变的新型AlGaN/AlGaN多量子阱发光二极管（LED）结构。结果表明：有源区内的极化形态高度依赖于铝浓度分布曲线，这种分布通过促进空穴注入及改善电子-空穴波函数重叠，最终对决定整体辐射复合效率起关键作用。为建立关联性，我们研究了量子阱中沿生长方向和逆生长方向进行组分渐变改性的两种结构，并与常规结构进行对比。结果显示：量子阱中铝组分从72%至76%呈生长方向渐变的器件结构能提升性能表现。
关键词： 量子阱（QW）、内量子效率（IQE）、深紫外（DUV）发光二极管、组分渐变
更新于2025-09-19 17:13:59