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基于凹凸圆形复合结构侧壁的InGaN基微发光二极管光提取效率增强
摘要： 我们证明，采用感应耦合等离子体（ICP）刻蚀制备的凹凸圆复合结构侧壁，是提高微发光二极管（LED）光效而不损害电学特性的有效方法。使用半径为2微米的凹凸圆复合结构侧壁的器件，其饱和光输出功率达到39.75毫瓦，较采用平面侧壁的器件提升了7.2%。光输出特性的增强主要归因于通过减少全内反射（同时不损失有源区面积）增加了光子发射量。
关键词： ICP、微发光二极管、光提取效率、氮化铟镓/氮化镓、凹凸圆形复合结构侧壁
更新于2025-09-11 14:15:04