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oe1(光电查) - 科学论文

3 条数据
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  • [IEEE 2018年第19届国际电子封装技术会议(ICEPT) - 上海 (2018.8.8-2018.8.11)] 2018年第19届国际电子封装技术会议(ICEPT) - 大开孔率与深度应用的博世蚀刻研究

    摘要： 随着半导体技术的发展，博世刻蚀技术越来越多地应用于2.5D多芯片集成和3D晶圆级芯片尺寸封装。该技术能形成具有各向异性的垂直通孔，有助于推动器件微型化。但在PCR（聚合酶链式反应）芯片、光学指纹芯片等大开孔率与深度应用场景中，博世刻蚀工艺面临新挑战。本文通过优化夹盘温度、光刻胶层厚度及偏置功率等参数开展实验研究，成功制备出开孔率45%、深度350微米的通孔结构。当夹盘温度控制在5℃、光刻胶层厚度为17微米时，可获得超过30:1的选择比；在保持良好形貌的同时实现4.6微米/分钟的刻蚀速率（均匀性达3.1%），且扇贝状刻蚀痕迹约50纳米。最终通孔底部开口直径较顶部开口（51微米）大3微米。

    关键词： 选择性、均匀性、大开孔率与深度、侧向通孔、刻蚀速率、博世刻蚀法

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 纯电感耦合SF<sub>6</sub>等离子体中各向同性硅刻蚀特性

    摘要： 对纯电感耦合SF6等离子体中硅各向同性刻蚀的特性进行了定量研究。由于刻蚀结果强烈依赖于掩模特征，作者同时研究了大面积和窄沟槽的刻蚀特性。采用直径500微米的圆形区域作为未图形化表面的替代样本，通过不同刻蚀时长测定材料刻蚀速率与表面粗糙度，发现选定工艺配方的平均刻蚀速率为2.27微米/分钟。此外还刻蚀了宽度8至28微米的窄沟槽阵列，以分析沟槽尺寸对刻蚀速率和各向异性程度的影响，结果表明沟槽刻蚀速率随宽度减小而显著降低。研究证实，各向同性SF6刻蚀可便捷替代XeF2等特殊硅气相刻蚀化学工艺。

    关键词： 刻蚀速率，硅，各向同性刻蚀，六氟化硫等离子体，感应耦合等离子体，各向异性

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 含七氟丙基甲基醚等离子体中SiO2刻蚀的角向依赖性

    摘要： 分别采用七氟丙基甲基醚（HFE - 347mcc3）/氩和C4F8/氩等离子体刻蚀SiO2，以评估使用氟代醚等离子体替代全氟碳等离子体的可行性。由于HFE - 347mcc3中的O原子会产生O自由基，与氟碳化合物反应生成挥发性产物，从而消耗更多氟碳薄膜，因此SiO2在HFE - 347mcc3/氩等离子体中的刻蚀速率高于在C4F8/氩等离子体中的刻蚀速率。在HFE - 347mcc3/氩等离子体中，归一化刻蚀产率（NEY）随离子入射角的变化在偏压高于 - 600 V时遵循几乎相同的模式，而 - 400 V时的NEY低于其他偏压下的NEY。另一方面，C4F8/氩等离子体的NEY随偏压增加而增加，表明其强烈依赖于偏压。HFE - 347mcc3/氩等离子体中NEY的特征变化与衬底表面形成的稳态膜的厚度和氟碳比相关。

    关键词： 稳态氟碳薄膜，刻蚀速率，角度依赖性，氟化醚等离子体，全氟碳等离子体

    更新于2025-09-09 09:28:46