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oe1(光电查) - 科学论文

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  • 半导体实时温度测量的新方法

    摘要: 考虑到电池电动和混合动力驱动系统相对年轻的汽车技术,其创新需求和优化潜力巨大。一个由采埃孚发起的研究项目展示了单项细节解决方案所能发挥的作用:对功率电子器件中半导体进行实时温度测量。这一新方法有助于更精确地计算和确定一些相互冲突的关键参数:运行耐久性、空间与功率密度的持续优化、集成能力,以及至关重要的成本。其他行业也能从中受益,例如通过实现预测性维护的可能性。

    关键词: 安装空间、成本、功率密度、运行强度、预测性维护、功率电子器件、实时温度测量、半导体、集成能力

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 体相SiC多型体第一性原理计算中的电子交换关联与多体效应问题

    摘要: 采用第一性原理投影缀加波方法(PAW)研究了四种碳化硅(SiC)多型体的电子结构、声子能带及介电性质。我们运用基于Perdew-Burke-Ernzerhof(PBE)和杂化HSE06交换关联泛函的PAW赝势密度泛函理论,通过自相互作用GW近似来处理多体效应以研究SiC特性。基于多体微扰理论(MBPT)的单次GW方法被用于计算不同多型体的准粒子(QP)能带能量及介电性质。GW方法中的电子能带结构计算采用Wannier流程——构建最大局域化Wannier函数(MLWF)基组,将少量规则k点网格的QP能量插值至布里渊区高对称线上。相较于PBE能带间隙,Kohn-Sham能量经QP修正后,4H-SiC的带隙增大了高达3电子伏特。GW计算结果与杂化泛函相当且与实验数据吻合良好。随后在PBE和HSE06框架下(包含多体效应)研究了光学性质,并采用HSE06方法计算了声子能带结构与既有PBE结果进行对比。研究发现与既有理论结果及现有实验数据均具有良好一致性。

    关键词: 碳化硅、半导体、密度泛函理论、功率电子器件、多型性

    更新于2025-09-10 09:29:36