- 标题
- 摘要
- 关键词
- 实验方案
- 产品
-
具有中心对称双垂直场板的新型沟槽SOI LDMOS性能分析
摘要： 本文提出了一种具有中心对称双垂直场板结构（CDVFPT SOI LDMOS）的新型沟槽SOI LDMOS。采用二维器件仿真器MEDICI研究该结构的特性。与常规沟槽SOI LDMOS（CT SOI LDMOS）相比，由于引入了中心对称双垂直场板结构，优化后的器件在击穿电压（BV）提升的同时比导通电阻（Ron,sp）显著降低。相较于此前带浮动垂直场板的沟槽SOI LDMOS（FVFPT SOI LDMOS），CDVFPT SOI LDMOS的整体性能也得到提升。仿真结果表明：与CT SOI LDMOS相比，CDVFPT SOI LDMOS的击穿电压从188V提升至234V，而比导通电阻则从2.30 mΩ·cm2降至1.24 mΩ·cm2。此外，在1 mW/μm2功率密度下最大晶格温度略有下降。
关键词： 功率MOSFET，特定导通电阻，垂直场板，击穿电压
更新于2025-09-23 15:23:52
-
采用氮离子和硅离子注入掺杂工艺制备的垂直β-Ga2O3 MOSFET器件
摘要： 在块状β-Ga2O3(001)衬底上生长的卤化物气相外延漂移层上，研发了具有电流孔径的耗尽型垂直Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管。采用三次离子注入工艺分别制备n++源区、横向n沟道和p型电流阻挡层，其中选择Si和N分别作为施主与深能级受主掺杂元素。该晶体管实现了0.42 kA/cm2的漏极电流密度、31.5 mΩ·cm2的比导通电阻以及超过10?的输出电流开关比。当前器件的高压性能受限于关态下较大的栅极氧化场导致的高栅极漏电，这一限制可通过优化掺杂方案和改进栅介质来轻松克服?；谌胱幼⑷牍ひ眨ň弑父叨瓤芍圃煨裕┑钠矫嬲ご怪盙a2O3晶体管的成功研制，极大提升了基于Ga2O3的功率电子器件的发展前景。
关键词： 垂直晶体管、功率MOSFET、离子注入、氧化镓、电流孔径
更新于2025-09-09 09:28:46
-
[IEEE 2018年第14届国际固态与集成电路技术会议(ICSICT) - 中国青岛 (2018.10.31-2018.11.3)] 2018年第14届IEEE国际固态与集成电路技术会议(ICSICT) - 新型集成4H-SiC温度传感器的仿真
摘要： 本文提出了一种新型集成于4H-SiC功率MOSFET的肖特基势垒二极管温度传感器。该温度传感器采用双重电气隔离和附加电流路径设计，使其能在功率MOSFET的任何工作状态下正常运行。得益于充分的电气隔离，传感器与功率MOSFET之间的串扰几乎被消除。此外，在恒定偏置电流Id=1mA条件下，测得其高灵敏度S=1.21mV/K。该温度传感器展现出良好的线性度，均方根误差R2=0.99996。
关键词： 温度传感器，4H-SiC，功率MOSFET，自热效应，串扰
更新于2025-09-04 15:30:14